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原裝KIA品牌mos管 6410 KIA6410 15A/100V PDF文件下載-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-14 

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KIA6410參數(shù)指標(biāo)

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正?;诎霕蛲?fù)洹?/span>


特征

RDS(ON)典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力


參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA6N70

工作方式:15A/100V

漏源電壓:100V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):15A

脈沖漏極電流:60V

耗散功率:50W

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:100V

溫度系數(shù):0.05V/℃

柵極閾值電壓:1.2V

輸入電容:1480PF

輸出電容:480PF

上升時間:9.5ns

封裝形式:TO-252、TO-251、TO-220



KIA6410
產(chǎn)品編號 KIA6410/AP/AU
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
產(chǎn)品特征

RDS(ON)典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正?;诎霕蛲?fù)洹?/span>
封裝形式 TO-220、TO-251、TO-252
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 arainay.com
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