KIA20N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA20N50 PDF文件 20A500V參數(shù)詳細(xì)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-09
KIA20N50特征
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低柵極電荷（典型的70nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt／dt能力
KIA20N50參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào)：KIA20N50
工作方式：20A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：13A
脈沖漏極電流：80A
雪崩能量：110mJ
耗散功率：41.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數(shù)：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2700 PF
輸出電容：400 PF
上升時(shí)間：400 ns
封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
 |
KIA20N50/HF/HH/HM |
| 產(chǎn)品編號(hào) | KIA20N50（20A 500V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的70nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于為高電壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁 |
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