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KIA原廠家mos場效應(yīng)管 KNX8103A N溝道 30A /30V PDF文件下載-KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-03-16 

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1、KNX8103A產(chǎn)品描述

KNX8103A最高性能溝槽N溝道MOSFET極端高的密度,為大多數(shù)的同步降壓轉(zhuǎn)換器,優(yōu)良的導(dǎo)通電阻和柵極電荷應(yīng)用,kia30n03b符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求,保證100% EAS全功能可靠性認(rèn)可。


2、KNX8103A產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(on) =15m? @ VDS =30V

先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)

超級的

低柵極電荷

優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減

100% EAS保證

綠色的可用設(shè)備


3、KNX8103A產(chǎn)品應(yīng)用

MB /鈮/注意/ VGA負(fù)載同步Buck變換器高頻點(diǎn)

網(wǎng)絡(luò)化DC-DC電源系統(tǒng)

負(fù)荷開關(guān)


4、KNX8103A產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號:KNX8103A

工作方式:30A/30V

漏源電壓:30V

柵源電壓:±20A

漏電流連續(xù):18A

脈沖漏極電流:60A

雪崩電流:21A

雪崩能量:72mJ

耗散功率:25W

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:30V

柵極閾值電壓:0.023V/℃

溫度系數(shù):1.0V

輸入電容:572PF

輸出電容:81PF

上升時(shí)間:6.0ns

封裝形式:TO-251、252


5、KNX8103A產(chǎn)品規(guī)格


KNX8103A N溝道MOSFET
產(chǎn)品編號 KNX8103A 30A/30V
產(chǎn)品描述 KNX8103A最高性能溝槽N溝道MOSFET極端高的密度,為大多數(shù)的同步降壓轉(zhuǎn)換器,優(yōu)良的導(dǎo)通電阻和柵極電荷應(yīng)用,kia30n03b符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求,保證100% EAS全功能可靠性認(rèn)可
產(chǎn)品特征

RDS(on) =15m? @ VDS =30V

先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)

超級的

低柵極電荷

優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減

100% EAS保證

綠色的可用設(shè)備

適用范圍

MB /鈮/注意/ VGA負(fù)載同步Buck變換器高頻點(diǎn)

網(wǎng)絡(luò)化DC-DC電源系統(tǒng)

負(fù)荷開關(guān)

封裝形式 TO-251、252
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 arainay.com
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