jmte3003a,3003場效應(yīng)管參數(shù) 30V，150A RDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10V RDS（ON）...jmte3003a,3003場效應(yīng)管參數(shù) 30V，150A RDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10V RDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5V
KNX9103A場效應(yīng)管是一款具有先進的溝槽工藝技術(shù)的高性能器件，漏源擊穿電壓30V...KNX9103A場效應(yīng)管是一款具有先進的溝槽工藝技術(shù)的高性能器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流40A，采用了超低導通電阻的高密度電池設(shè)計，具有非常優(yōu)秀的電氣特性；RDS...
KIA40N06B場效應(yīng)管采用先進的高細胞密度溝槽技術(shù)，具備出色的性能，漏源擊穿電...KIA40N06B場效應(yīng)管采用先進的高細胞密度溝槽技術(shù)，具備出色的性能，漏源擊穿電壓60V，漏極電流38A，在VDS為60V時，RDS（開啟）僅為14m?，表現(xiàn)出卓越的導通能力、...
KNX4360A場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓高達600V，漏極電流4.0A，...KNX4360A場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓高達600V，漏極電流4.0A，RDS（ON）為1.9Ω（在VGS=10V，ID=2A時），表現(xiàn)出卓越的導通特性，這款場效應(yīng)管具有...
KIA30N03B場效應(yīng)管具備出色的性能參數(shù)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先...KIA30N03B場效應(yīng)管具備出色的性能參數(shù)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先進的高細胞密度溝槽技術(shù)，具有超低的柵極電荷，RDS（開）參數(shù)為15m? @ VDS=30V，較...
KIA30N06B場效應(yīng)管是一款先進高密度溝槽技術(shù)的電子元件，漏源擊穿電壓60V，漏極...KIA30N06B場效應(yīng)管是一款先進高密度溝槽技術(shù)的電子元件，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，具有出色的性能指標，?在VDS為60V時，其RDS(on)僅為25mΩ，表現(xiàn)出超低的...
