三極管和MOS管控制區(qū)別 經(jīng)?？吹皆谑褂脝纹瑱CI/O口驅(qū)動MOS管時，不是使用單片...三極管和MOS管控制區(qū)別 經(jīng)?？吹皆谑褂脝纹瑱CI/O口驅(qū)動MOS管時，不是使用單片機I/O口直接驅(qū)動，而是經(jīng)過一級三極管，使用三極管驅(qū)動MOS管。
國產(chǎn)MOS管KNX7115A 150V20A產(chǎn)品概述 KNX7115A是性能最好的溝槽N型MOSFET，具有...國產(chǎn)MOS管KNX7115A 150V20A產(chǎn)品概述 KNX7115A是性能最好的溝槽N型MOSFET，具有極高的單元密度。大部分為同步降壓變換器提供了優(yōu)良的RDSON和柵極電荷應用。KNX711...
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這個先進的技術(shù)...這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這個先進的技術(shù)是KIA半導體特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，能承受雪崩和換向模...
MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示，它們各自區(qū)間的命名有所不同，其...MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示，它們各自區(qū)間的命名有所不同，其中MOS管的飽和區(qū)也稱為恒流區(qū)、放大區(qū)。 其中一個主要的不同點在于MOS管有個可變電...
MOS管100V150A KNX2810A-產(chǎn)品特點 RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計...MOS管100V150A KNX2810A-產(chǎn)品特點 RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計 超低導通電阻 雪崩測試100% 提供無鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
MOS管接法：圖中使用的是NMOS管，左邊的電路中，控制端為0V時MOS管關(guān)斷，S極的...MOS管接法：圖中使用的是NMOS管，左邊的電路中，控制端為0V時MOS管關(guān)斷，S極的電平為0，當G極給一定電壓U0時MOS管導通，這時候負載（R）有電流（I）通過，S極的電...
