650V?10A? KSF10065MOS管?? 1、650伏肖特基整流器 2、恢復(fù)時(shí)間縮短 3、...650V?10A? KSF10065MOS管?? 1、650伏肖特基整流器 2、恢復(fù)時(shí)間縮短 3、高速切換成為可能 4、高頻操作 5、超高速開(kāi)關(guān) 6、變頻上的正溫度系數(shù)
泄放電阻電路分析 電路中，在儲(chǔ)能元器件兩端并聯(lián)一只電阻器給儲(chǔ)能元件提供一個(gè)...泄放電阻電路分析 電路中，在儲(chǔ)能元器件兩端并聯(lián)一只電阻器給儲(chǔ)能元件提供一個(gè)小號(hào)能量的通路，使電路安全。這個(gè)電阻就叫泄放電阻（注：儲(chǔ)能元件如電容器，電感器...
MOS管最常見(jiàn)的應(yīng)用可能是高頻開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)元件，此外，它們對(duì)電源輸出也大...MOS管最常見(jiàn)的應(yīng)用可能是高頻開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)元件，此外，它們對(duì)電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用一般都配置有多個(gè)并行電源，以支持N+1冗余與持續(xù)工作...
MOS管電流噪聲 MOS器件的本底噪聲是器件中電壓和電流的自發(fā)漲落，與電子電荷的...MOS管電流噪聲 MOS器件的本底噪聲是器件中電壓和電流的自發(fā)漲落，與電子電荷的離散性緊密相關(guān)。 噪聲的影響受器件及其所在電路放大能力的限制。 外界噪聲可以通...
KNX8103A 30V30A參數(shù) 電流：30A 電壓：30V 漏源極電壓：30V 柵源電壓：±2...KNX8103A 30V30A參數(shù) 電流：30A 電壓：30V 漏源極電壓：30V 柵源電壓：±20V 脈沖漏電流：60A 單脈沖雪崩能：72MJ 雪崩電流：21A 運(yùn)行結(jié)溫范圍：-55℃至+...
MOS管柵極驅(qū)動(dòng)振蕩 功率MOSFET以其開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中...MOS管柵極驅(qū)動(dòng)振蕩 功率MOSFET以其開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的...
