KND3306B場效應(yīng)管可以替代nce6080型號在無刷電機(jī)、鋰電池保護(hù)板、逆變器領(lǐng)域應(yīng)...KND3306B場效應(yīng)管可以替代nce6080型號在無刷電機(jī)、鋰電池保護(hù)板、逆變器領(lǐng)域應(yīng)用，漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低導(dǎo)通電阻、高雪崩電流...
KNX2804A場效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，RDS（...KNX2804A場效應(yīng)管采用專有新型溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，極低的導(dǎo)通電阻RDS，以及低柵極電荷最小化開關(guān)損耗、快速恢復(fù)...
KND3404C場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，可以替代80n04型號應(yīng)用在鋰電...KND3404C場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，可以替代80n04型號應(yīng)用在鋰電池保護(hù)板、同步降壓轉(zhuǎn)換器中；漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，低導(dǎo)通電阻RDS（ON）=...
KIA100N03場效應(yīng)管采用先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流為...KIA100N03場效應(yīng)管采用先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通態(tài)電阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承...
KIA50N03A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，可以替代nce3050k型號應(yīng)用在鋰電池...KIA50N03A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，可以替代nce3050k型號應(yīng)用在鋰電池保護(hù)板、LED中，漏源擊穿電壓30V、漏極電流50A，RDS(ON)=6.5mΩ,VGS@10V,Ids@30A，R...
KIA6N70H場效應(yīng)管可以替代6n70型號應(yīng)用在高效開關(guān)電源、LED驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動中，...KIA6N70H場效應(yīng)管可以替代6n70型號應(yīng)用在高效開關(guān)電源、LED驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動中，漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，最大限度地減少導(dǎo)通電...
