封裝如何制成圖文詳解-常見MOS管封裝大全引腳圖及引腳順序-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2018-12-01
封裝,即隱藏對象的屬性和實現(xiàn)細節(jié),僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別;將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合,形成一個有機的整體,也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進行有機的結(jié)合,形成“類”,其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。在電子方面,封裝是指把硅片上的電路管腳,用導線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。
在面向?qū)ο缶幊讨?,封裝(encapsulation)是將對象運行所需的資源封裝在程序?qū)ο笾小旧?,是方法和?shù)據(jù)。對象是“公布其接口”。其他附加到這些接口上的對象不需要關(guān)心對象實現(xiàn)的方法即可使用這個對象。這個概念就是“不要告訴我你是怎么做的,只要做就可以了?!睂ο罂梢钥醋魇且粋€自我包含的原子。對象接口包括了公共的方法和初始化數(shù)據(jù)。
目前常見的封裝有兩種,一種是電動玩具內(nèi)常見的,黑色長得像蜈蚣的 DIP 封裝,另一為購買盒裝 CPU 時常見的 BGA 封裝。至于其他的封裝法,還有早期 CPU 使用的 PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版 QFP(塑料方形扁平封裝)等。因為有太多種封裝法,以下將對 DIP 以及 BGA 封裝做介紹。
首先要介紹的是雙排直立式封裝(Dual Inline Package;DIP),從下圖可以看到采用此封裝的 IC芯片在雙排接腳下,看起來會像條黑色蜈蚣,讓人印象深刻,此封裝法為最早采用的 IC 封裝 技術(shù),具有成本低廉的優(yōu)勢,適合小型且不需接太多線的芯片。但是,因為大多采用的是塑料,散熱效果較差,無法滿足現(xiàn)行高速芯片的要求。因此,使用此封裝的,大多是歷久不衰的芯片,如下圖中的 OP741,或是對運作速度沒那么要求且芯片較小、接孔較少的 IC 芯片。
左圖的 IC 芯片為 OP741,是常見的電壓放大器。右圖為它的剖面圖,這個封裝是以金線將芯片接到金屬接腳(Leadframe)。(Source :左圖 Wikipedia、右圖 Wikipedia)
至于球格陣列(Ball Grid Array,BGA)封裝,和 DIP 相比封裝體積較小,可輕易的放入體積較小的裝置中。此外,因為接腳位在芯片下方,和 DIP 相比,可容納更多的金屬接腳。
相當適合需要較多接點的芯片。然而,采用這種封裝法成本較高且連接的方法較復雜,因此大多用在高單價的產(chǎn)品上。
左圖為采用 BGA 封裝的芯片。右圖為使用覆晶封裝的 BGA 示意圖。(Source: 左圖 Wikipedia)行動裝置興起,新技術(shù)躍上舞臺
然而,使用以上這些封裝法,會耗費掉相當大的體積。像現(xiàn)在的行動裝置、穿戴裝置等,需要相當多種元件,如果各個元件都獨立封裝,組合起來將耗費非常大的空間,因此目前有兩種方法,可滿足縮小體積的要求,分別為 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。
在智慧型手機剛興起時,在各大財經(jīng)雜誌上皆可發(fā)現(xiàn) SoC 這個名詞,然而 SoC 究竟是什么東西?簡單來說,就是將原本不同功能的 IC,整合在一顆芯片中。藉由這個方法,不單可以縮小體積,還可以縮小不同 IC 間的距離,提升芯片的計算速度。至于制作方法,便是在 IC 設計階段時,將各個不同的 IC 放在一起,再透過先前介紹的設計流程,制作成一張光罩。
然而,SoC 并非只有優(yōu)點,要設計一顆 SoC 需要相當多的技術(shù)配合。IC 芯片各自封裝時,各有封裝外部保護,且 IC 與 IC 間的距離較遠,比較不會發(fā)生交互干擾的情形。但是,當將所有 IC 都包裝在一起時,就是噩夢的開始。IC 設計廠要從原先的單純設計 IC,變成了解并整合各個功能的 IC,增加工程師的工作量。此外,也會遇到很多的狀況,像是通訊芯片的高頻訊號可能會影響其他功能的 IC 等情形。
此外,SoC 還需要獲得其他廠商的 IP(intellectual property)授權(quán),才能將別人設計好的元件放到 SoC 中。因為制作 SoC 需要獲得整顆 IC 的設計細節(jié),才能做成完整的光罩,這同時也增加了 SoC 的設計成本?;蛟S會有人質(zhì)疑何不自己設計一顆就好了呢?因為設計各種 IC 需要大量和該 IC 相關(guān)的知識,只有像 Apple 這樣多金的企業(yè),才有預算能從各知名企業(yè)挖角頂尖工程師,以設計一顆全新的 IC,透過合作授權(quán)還是比自行研發(fā)劃算多了。
作為替代方案,SiP 躍上整合芯片的舞臺。和 SoC 不同,它是購買各家的 IC,在最后一次封裝這些 IC,如此便少了 IP 授權(quán)這一步,大幅減少設計成本。此外,因為它們是各自獨立的 IC,彼此的干擾程度大幅下降。
Apple Watch 采用 SiP 技術(shù)將整個電腦架構(gòu)封裝成一顆芯片,不單滿足期望的效能還縮小體積,讓手錶有更多的空間放電池。(Source:Apple 官網(wǎng))
采用 SiP 技術(shù)的產(chǎn)品,最著名的非 Apple Watch 莫屬。因為 Watch 的內(nèi)部空間太小,它無法采用傳統(tǒng)的技術(shù),SoC 的設計成本又太高,SiP 成了首要之選。藉由 SiP 技術(shù),不單可縮小體積,還可拉近各個 IC 間的距離,成為可行的折衷方案。下圖便是 Apple Watch 芯片的結(jié)構(gòu)圖,可以看到相當多的 IC 包含在其中。
Apple Watch 中采用 SiP 封裝的 S1 芯片內(nèi)部配置圖。(Source:chipworks)
完成封裝后,便要進入測試的階段,在這個階段便要確認封裝完的 IC 是否有正常的運作,正確無誤之后便可出貨給組裝廠,做成我們所見的電子產(chǎn)品。至此,半導體產(chǎn)業(yè)便完成了整個生產(chǎn)的任務。
TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大,TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。
TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK,TO-263又稱之為D2PAK。
D-PAK封裝的MOSFET有3個電極,柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用,而是使用背面的散熱板作漏極(D),直接焊接在PCB上,一方面用于輸出大電流,一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處,漏極(D)焊盤較大。
芯片封裝流行的還是雙列直插封裝,簡稱DIP(Dual ln-line Package)。DIP封裝在當時具有適合PCB(印刷電路板)的穿孔安裝,具有比TO型封裝易于對PCB布線以及操作較為方便等一些特點,其封裝的結(jié)構(gòu)形式也很多,包括多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP等等。常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝。
SOT(Small Out-Line Transistor)小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝,比TO封裝體積小,一般用于小功率MOSFET。常見的規(guī)格如上。
主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
SOP(Small Out-Line Package)的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等,SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格,業(yè)界往往把“P”省略,叫SO(Small Out-Line )。
SO-8采用塑料封裝,沒有散熱底板,散熱不良,一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先開發(fā)的,以后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標準規(guī)格。
這些派生的幾種封裝規(guī)格中,TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
QFN(Quad Flat Non-leaded package)是表面貼裝型封裝之一,中文叫做四邊無引線扁平封裝,是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。現(xiàn)在多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。封裝四邊配置有電極接點,由于無引線,貼裝占有面積比QFP小,高度比QFP低。這種封裝也稱為LCC、PCLC、P-LCC等。QFN本來用于集成電路的封裝,MOSFET不會采用的。Intel提出的整合驅(qū)動與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝,56是指在芯片背面有56個連接Pin。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助