開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用詳細(xì)解析-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-07-07
當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過(guò)這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái),不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)
溝槽Trench型N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示,在N-epi外延層上擴(kuò)散形成P基區(qū),然后通過(guò)刻蝕技術(shù)形成深度超過(guò)P基區(qū)的溝槽,在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層,再用多晶硅填充溝槽,利用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成N+源區(qū),背面的N+substrate為漏區(qū),在柵極加上一定正電壓后,溝槽壁側(cè)的P基區(qū)反型,形成垂直溝道。
由下圖中的結(jié)構(gòu)可以看到,P基區(qū)和N-epi形成了一個(gè)PN結(jié),即MOSFET的寄生體二極管。
1、全橋逆變電路
2、三相橋電路
3、LLC半橋諧振電路ZVS
4、移相全橋PSFB ZVS
5、HID照明(ZVS)
1、MOSFET體二極管反向恢復(fù)
2、LLC半橋諧振變換器
3、LLC電壓增益
4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助