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MOSFET的FT,如何定義?FT計(jì)算-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-04-14 

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MOSFET的FT,如何定義?FT計(jì)算-KIA MOS管


MOSFET-FT定義

在MOS源極和漏極接交流地時(shí),器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為:“transit frequency”(fT)


FT計(jì)算

MOS的小信號(hào)模型如下:


MOSFET FT


輸入電流Iin(ω):

MOSFET FT


(1)

輸出電流Iout(ω):

MOSFET FT


(2)

電流增益:

MOSFET FT


(3)

低頻時(shí),gm>>ωCgs

MOSFET FT


(4)

高頻時(shí),gm<<ωCgs

MOSFET FT


(5)

我們讓(4)式等于1,可以求出ωt (注: FT=ωt/2π)

MOSFET FT


(6)

根據(jù)gm表達(dá)式, 用Vgs替換掉式(6)中的gm

MOSFET FT


(7)

把(7)帶入(6)得到:

MOSFET FT


(8)

影響因素

根據(jù)式(8),可以知道–增大Vgs可以增大FT–減小溝道L會(huì)增大FT

進(jìn)一步說: 根據(jù)式(6)

–增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根)

–當(dāng)偏置電流恒定,減小溝道的L可以增大FT[FT∝L^(-3/2)]


注意

–FT不受S端和D端結(jié)電容的影響。

–FT不受RG的影響,且仍等于上面(6)給出的值。


PS: 小尺寸MOS管FT筆記

FT隨過驅(qū)動(dòng)而增加,但隨著垂直電場減小了遷移率變而平。下面繪制的是NMOS器件的fT,其中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.


MOSFET FT




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