分析為什么NMOS比PMOS用的多-KIA MOS管

NMOS/PMOS

NMOS管的工作原理，是通過控制導(dǎo)電溝道，以此來控制源漏電流。在柵極加上正電壓Vgs，襯底的電子會(huì)被帶正電的柵極吸引，電子充斥在源端和漏端之間，形成了導(dǎo)電溝道，兩邊就可以通了。

當(dāng)Vgs電壓以高頻率變化的時(shí)候，形成的導(dǎo)電溝道的厚薄也會(huì)變化。這個(gè)導(dǎo)電溝道的變化是通過電子的移動(dòng)來形成的，電子移動(dòng)速度越快（電子遷移率越高），那么導(dǎo)電溝道就能更快的響應(yīng)Vgs的變化。

所以說，電子遷移率越高，器件的工作頻率越高。

同樣的，PMOS管的工作速度，應(yīng)該與空穴遷移率的大小正相關(guān)。

總的來說，電子遷移率越高，晶體管的功耗越小，速度越快。

為什么N型MOS管占據(jù)主導(dǎo)地位，P型MOS管現(xiàn)在越來越少了，主要有幾個(gè)方面的原因:

1. N型MOS管由于自身的原因，開關(guān)速度很快。

2. P型MOS管由于工藝的影響，沒有N型MOS管快，因此開關(guān)損耗就會(huì)比N型MOS管大，發(fā)熱量就會(huì)比N型MOS大。

3. N型MOS管耐壓比較高，P型MOS相對(duì)N型MOS來說比較低，所以高壓的應(yīng)用場(chǎng)合很少看到P型MOS管。更多的是N型管。

4. N型MOS管通過的電流能力比較大，而P型MOS通過的電流能力相對(duì)于N型MOS管來說比較小。

總結(jié)：考慮到電路的性能參數(shù)，在符合要求的情況下，我們從考慮電路的簡(jiǎn)單角度，才會(huì)選用P型MOS管，正常情況下我們一般選擇N型MOS管。

對(duì)于N-MOS管，電流方向是從D（漏極）指向S（源極），里面集成了一個(gè)體二極管（封裝在體內(nèi)的），體二極管的作用是當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，提供往回流通的路徑，正向流通的時(shí)候體二極管是不通的。

N-MOS與N型晶體管有什么差異？

1. N-MOS的電流是從D流向S的，里面封裝了一個(gè)體二極管，N-MOS不通的時(shí)候，二極管提供了一個(gè)反向的通路。

2. N-MOS是壓控型的，N型晶體管是流控型的。

3. N-MOS的GS端加的是電壓源（GS之間不關(guān)心電流，關(guān)心的是電壓），N型晶體管be端加的是電流源（be之間不關(guān)心電壓，關(guān)心的是電流）。

4. N型晶體管要想讓它完全導(dǎo)通（飽和），be之間至少要通過一個(gè)1mA的電流（基極的閾值電流）。低于閾值電流三極管工作在放大狀態(tài)，再低的話工作在截止?fàn)顟B(tài)。

5. 對(duì)于N-MOS導(dǎo)通有個(gè)閾值電壓。GS之間一定要正偏，即G的電壓要大于S。

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