電力電子器件以及分類解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-06-24
電力電子器件（Power Electronic Device）又稱為功率半導體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）。
功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機領(lǐng)域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。
除了保證這些設(shè)備的正常運行以外，功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產(chǎn)品的需求以及能效要求的不斷提高，中國功率器件市場一直保持較快的發(fā)展速度。
20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關(guān)速度快，而在電力電子電路中得到廣泛應用。
70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關(guān)電流已達數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。
在此基礎(chǔ)上，為適應電力電子技術(shù)發(fā)展的需要，又開發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。
各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。
普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件。可關(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件。
后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關(guān)速度快，廣泛應用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核心部件。
這些器件構(gòu)成裝置不僅體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。
單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。
所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。
器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯(lián)時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。
所以，在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施；在并聯(lián)時，要采取均流措施。
電力電子器件工作時，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。
為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。
按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：
1.半控型器件，例如晶閘管；
2.全控型器件，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；
3.不可控器件，例如電力二極管。
按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類：
1.電壓驅(qū)動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）；
2.電流驅(qū)動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。
根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類：
1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO；
2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類：
1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR；
2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管；
3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。
電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠；
晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中最高
IGBT：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小；缺點：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO
GTR：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜，存在二次擊穿問題
GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調(diào)制效應，其通流能力很強；缺點：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜，開關(guān)頻率低
電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。
制約因素：耐壓，電流容量，開關(guān)的速度。
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