KCX017N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流259A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,...KCX017N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流259A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,提高...
nmos管作為防止電路反接方案中,VCC=5V的電源加在10K阻性負(fù)載上,電壓表、電流...nmos管作為防止電路反接方案中,VCC=5V的電源加在10K阻性負(fù)載上,電壓表、電流表分別測量,記錄值是5V、500uA;切換Key開關(guān),模擬電源反接時,測得記錄值是-49.55...
交流充電樁輸出的依然是交流電,這種電流需要經(jīng)過車載充電機(jī)(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電...交流充電樁輸出的依然是交流電,這種電流需要經(jīng)過車載充電機(jī)(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電后才能為電池充電。這一轉(zhuǎn)換過程限制了充電速度,因為車載充電機(jī)的功率通常有限(3.3...
KCX012N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流330A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,...KCX012N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流330A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.4mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,高...
LLC變換器由4個模塊組成:電源開關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率...LLC變換器由4個模塊組成:電源開關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率開關(guān)首先將輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻方波;隨后方波進(jìn)入諧振腔,由諧振腔消除方波的...
PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱,屬于薄膜電容器的一種,具...PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱,屬于薄膜電容器的一種,具有高頻損耗小、耐沖擊、溫度穩(wěn)定性好等特點,廣泛應(yīng)用于高頻、直流、交流及大電流脈...