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半導(dǎo)體常用名詞解釋-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-08-10 

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半導(dǎo)體常用名詞解釋-KIA MOS管


半導(dǎo)體名詞解釋

晶面指數(shù):將晶面截距倒數(shù)之比簡(jiǎn)約為互質(zhì)整數(shù)之比,所得的互質(zhì)整數(shù)即為晶面指數(shù)。


空間點(diǎn)陣:構(gòu)成晶體節(jié)點(diǎn)的集合。


離子晶體:正負(fù)離子交替排列在晶格格點(diǎn)上,依靠離子鍵結(jié)合成的晶體稱(chēng)為離子晶體。


原子晶體:原子交替排列在晶格格點(diǎn)上,依靠共價(jià)鍵結(jié)合成的晶體稱(chēng)為原子晶體。


佛侖克爾缺陷:原子脫離格點(diǎn)后,同時(shí)形成空格點(diǎn)和間隙原子,空格點(diǎn)數(shù)等于間隙原子數(shù),這稱(chēng)為佛侖克爾缺陷。


肖脫基缺陷: 原子或離子離開(kāi)原來(lái)所在的格點(diǎn)位置而形成的只有空位而不存在間隙原子的點(diǎn)缺陷。


施主能級(jí):被施主雜質(zhì)束縛著的電子的能量狀態(tài),稱(chēng)為施主能級(jí)。

受主能級(jí):被受主雜質(zhì)束縛著的電子的能量狀態(tài),稱(chēng)為施主能級(jí)。


本征半導(dǎo)體:完全沒(méi)有雜質(zhì)和缺陷的理想純凈和完整的半導(dǎo)體。


導(dǎo)帶:在絕對(duì)零度溫度下,半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶,受到光電注入或熱激發(fā)后,價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶。


價(jià)帶:半導(dǎo)體或絕緣體中,在0K時(shí)能被電子占滿的最高能帶。


有效質(zhì)量:粒子在晶體中運(yùn)動(dòng)時(shí)具有的等效質(zhì)量。


遷移率:載流子(電子和空穴)在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度。


雜質(zhì)散射:載流子運(yùn)動(dòng)到電離雜質(zhì)附近時(shí),由于庫(kù)侖勢(shì)場(chǎng)的作用,就使載流子運(yùn)動(dòng)方向發(fā)生改變。


費(fèi)米能級(jí):費(fèi)米能級(jí)是絕對(duì)零度時(shí)電子的最高能級(jí)。


準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí):在非平衡狀態(tài)下,由于導(dǎo)帶和價(jià)帶在總體上處于非平衡,因此就不能用統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)來(lái)描述導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴按能量的分布問(wèn)題。但由于導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴按能量在各自的能帶中處于準(zhǔn)平衡分布,可以有各自的費(fèi)米能級(jí)稱(chēng)為準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。


載流子產(chǎn)生率:?jiǎn)挝粫r(shí)間單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)數(shù)。

載流子復(fù)合率:?jiǎn)挝粫r(shí)間單位體積內(nèi)復(fù)合掉的電子-空穴對(duì)數(shù)。


非平衡載流子:處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,其載流子比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱(chēng)為非平衡載流子。


直接復(fù)合:電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間直接躍遷而產(chǎn)生復(fù)合。

間接復(fù)合:電子和空穴通過(guò)禁帶的能級(jí)進(jìn)行復(fù)合。


陷阱能級(jí):SiO4的能級(jí)(導(dǎo)帶底以下0.16ev處)叫陷阱能級(jí)。

陷阱效應(yīng):雜質(zhì)或缺陷能收容非平衡載流子的作用稱(chēng)為陷阱效應(yīng)。


MOS管原廠:

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半導(dǎo)體 名詞解釋



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