MOS管襯底電位接法|PMOS、NMOS襯底連接-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-01-06
P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊，不然通過襯底短接會(huì)影響其他NMOS的特性，因此NMOS的襯底只能接GND（低電位）；
P-SUB工藝，PMOS管的N襯底都是單獨(dú)的，因此可以將源極和襯底接一塊來減小襯偏效應(yīng)；
N-WLL工藝，PMOS的襯底都是一樣的，都是N-WELL，因此不可以將源極和襯底接一塊，不然通過襯底短接會(huì)影響其他PMOS的特性，因此PMOS的襯底只能接VDD（高電位）；
N-WELL工藝，NMOS管的P襯底都是單獨(dú)的，因此可以將源極和襯底接一塊來減小襯偏效應(yīng)；
Deep Nwell，是在PSUB工藝情況下，對(duì)NMOS管可以采取的一種隔離方式，底部是deep nwell，周圍是nwell形成的一個(gè)環(huán)，來隔離共襯底引起的噪聲干擾。
在schematic原理圖中搭建電路時(shí)，所有pmos的襯底需要接VDD，所有nmos的襯底需要接VSS。
在layout版圖中，VDD供電時(shí)，選擇的通孔類型的M1_NW，因?yàn)镻MOS器件做在N阱中。
相對(duì)應(yīng)，VSS供電選擇的通孔類型為M1_SUB。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。
