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【集成電路設(shè)計(jì)】MOS管的fT頻率分析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-06-08 

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【集成電路設(shè)計(jì)】MOS管的fT頻率分析-KIA MOS管


MOSFET fT頻率分析

MOSFET的電流增益特征頻率fT,用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。


MOSFET fT 頻率


fT定義

在MOS源極和漏極接交流地時(shí),器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱(chēng)為:“transit frequency”(fT)


fT計(jì)算

MOS的小信號(hào)模型如下:

MOSFET fT 頻率


MOSFET fT 頻率


MOSFET fT 頻率


MOSFET fT 頻率


影響因素:

1) 增大Vgs可以增大FT

2) 減小溝道L會(huì)增大FT,所以使用工藝尺寸更小的MOS管,可以獲得更高的工作頻率。

3) 增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根)


MOSFET fT 頻率


4) FT隨著過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓而增加,但隨著垂直電場(chǎng)增強(qiáng)到一定程度,會(huì)導(dǎo)致遷移率明顯逐漸減小,而使FT-Vod曲線(xiàn)變平,不再是線(xiàn)性直線(xiàn)。



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