電源芯片工作溫度的計(jì)算、參數(shù)含義-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-11
TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C）
TC：芯片封裝表面溫度（Package case temperature, °C）
TB：放置芯片的PCB板溫度（Board temperature adjacent to package, °C）
TT：芯片封裝頂面中心溫度（Top of package temperature at center, °C）
TA：芯片周圍空氣溫度（Ambient air temperature, °C）
qJA：硅核到周圍空氣的熱阻系數(shù)（Thermal resistance junction-to-ambient, °C/W）
qJC：硅核到封裝表面的熱阻系數(shù)（Thermal resistance junction-to-case, °C/W）
qJB：硅核到PCB板的熱阻系數(shù)（Thermal resistance junction-to-board, °C/W）
YJB：硅核到PCB板的特征參數(shù)（Junction-to-board characterization parameter，°C/W）
YJT：硅核到封裝頂部的特征參數(shù)（Junction-to-top (of package) characterization parameter, °C/W）
P：設(shè)備功耗（Power dissipated by device, Watts）
下圖是熱阻計(jì)算公式的總結(jié)，通過下面的公式，可以通過手冊(cè)中的可獲取的參數(shù)，計(jì)算得到芯片工作的實(shí)際結(jié)溫。
圖1 熱阻計(jì)算公式總結(jié)
1.TA測(cè)量及TJ計(jì)算器
圖2 TA溫度測(cè)試點(diǎn)
熱阻計(jì)算公式：qJA =（TJ- TA）/P
公式變換：TJ = TA + qJA*P
2.TC測(cè)量及TJ計(jì)算器
一般TC溫度測(cè)試點(diǎn)有三種情況：
熱阻計(jì)算公式：qJC=（TJ- TC）/P
公式變換：TJ = TC + qJC*P
3.TB測(cè)量及TJ計(jì)算器
有絕緣層測(cè)試
圖6 TB PCB板測(cè)試點(diǎn)（有絕緣層）
熱阻計(jì)算公式：qJB=（TJ- TB）/P
公式變換：TJ = TB + qJB*P
無絕緣層測(cè)試
Eg：
比如一個(gè)芯片熱阻：qJA=55°C/W，測(cè)試得到工作環(huán)境溫度：TA = +35°C，工作功耗：P=0.6W
則可以計(jì)算結(jié)溫：TJ = 35°C + (55°C/W * 0.6W) = 68°C
注：一般要求TA不要超過手冊(cè)要求，結(jié)溫也要低于手冊(cè)要求并要留有余量（10~15°C為宜）
下面看一下實(shí)際數(shù)據(jù)手冊(cè)的數(shù)據(jù)，要保證芯片安全溫度的工作，環(huán)境溫度TA應(yīng)該滿足在-10~70°C范圍內(nèi)，并且最后計(jì)算出來的結(jié)溫應(yīng)該低于120°C（留有15°C余量）。
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