【收藏】經典NMOS開關驅動電路分享-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-11-18
注:
Q5:一個NMOS管。
R25/100R 的作用:
防止振蕩
減少柵極充電的峰值電壓
保護NMOS管的D-S及不被擊穿
防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況下,可能會產生LC振蕩,當我們加入R25之后,會提高阻尼減少振蕩。
減少柵極充電的峰值電壓,當柵極的電壓拉高,首先對柵極的寄生電容進行充電,I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力,為了保護IC,添加R25之后,可能有效的增長充電的時間,進而減小充電時候的電流。
從導通到截止狀態(tài),VDS電壓迅速增加,如果dVDS/dt過大,可能會燒壞器件,R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電,從而保護mos管。
R26 10K的作用:
下拉型抗干擾電阻,GPIO輸出狀態(tài)下,在Nmos端,可以看出mos端處于一個高阻態(tài)或者懸浮的一個狀態(tài),為了避免意外打開mos管,加上了個10k下拉。
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè),竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產品。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明:本網站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權,請聯(lián)系刪除。