CMOS集成電路概念：溝道寬長(zhǎng)比-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-11-29
本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長(zhǎng)比。是代表著溝道寬度W與溝道長(zhǎng)度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個(gè)基本概念。
溝道（channel）是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管中源區(qū)和漏區(qū)之間的一薄半導(dǎo)體層。是由于外加電場(chǎng)引起的沿長(zhǎng)度方向的導(dǎo)電層。
如下圖所示：
MOS管工作在非飽區(qū)時(shí)，I-V特性曲線公式近似為：
因此，溝道寬長(zhǎng)比對(duì)MOS管來(lái)說(shuō)是非常重要的一個(gè)參數(shù)指標(biāo)。寬長(zhǎng)比越大，MOS管的 飽和電流(Idsat)就越大，性能就越好。
在數(shù)字后端中，溝道的寬長(zhǎng)比也體現(xiàn)在單元庫(kù)上。當(dāng)溝道長(zhǎng)度L相同時(shí)，不同的溝道寬度會(huì)造成cell的不同高度，我們通常說(shuō)的7 Track, 9 Track即是代表不同的溝道寬度，溝道寬度越大，速度也越快，功耗也越大；
當(dāng)溝道寬度W相同時(shí)，不同的溝道長(zhǎng)度L也會(huì)造成cell的速度不同，我們通?？吹降腸ell名字里的C14,C16就是代表不同的溝道長(zhǎng)度。L越小，速度也越快，功耗也大。
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