開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模分析-KIA MOS管

開(kāi)關(guān)瞬態(tài)分析建模

圖 1 顯示了處于開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過(guò)程，該過(guò)程基于電感鉗位電路，該電路具有很少的關(guān)鍵寄生參數(shù) Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生參數(shù)對(duì) SiC MOSFET 的特性有很大影響，因此在建模時(shí)應(yīng)給予重要考慮。

開(kāi)關(guān)瞬態(tài) SiC MOSFET 建模

圖 1：電感鉗位電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

開(kāi)啟狀態(tài)的表征

開(kāi)啟瞬態(tài)還有 4 個(gè)子階段。這四個(gè)子階段顯示了電感鉗位電路中柵極和功率柵極回路之間的關(guān)系。

這些子階段被命名為：

子階段 S11（開(kāi)啟延遲）

子級(jí) S12（電流換向）

子級(jí) S13（電壓換向）

子階段 S14（開(kāi)啟振鈴）

關(guān)斷狀態(tài)的表征

正如在 Turn-on 中一樣，Turn-off 狀態(tài)的表征也包括 4 個(gè)子階段。在這里可以正確地說(shuō)，子級(jí) S11（接通延遲）、子級(jí) S12（電流換向）和子級(jí) S13（電壓換向）在接通狀態(tài)下使用的機(jī)制是相似的用于后續(xù)步驟，例如 S21（關(guān)斷延遲）、S22（電壓換向）和 S23（電流換向）。唯一的變化是在稱為 S24 的關(guān)閉振鈴階段。

結(jié)電容和跨導(dǎo)建模

CV 特性曲線說(shuō)明了基于 Si 的器件和結(jié)電容的 SiC MOSFET 非線性。CV 特性的曲線擬合具有解釋這些電容建模的能力。

圖 2 顯示了擬合和測(cè)量的 CV 特性曲線之間的比較，而圖 3 顯示了擬合和測(cè)量的 IV 特性曲線之間的比較，這允許表征跨導(dǎo)。

開(kāi)關(guān)瞬態(tài) SiC MOSFET 建模