【圖文】MOS管導(dǎo)通電壓的詳細(xì)分析-KIA MOS管

分析MOS管的開(kāi)啟電壓對(duì)管子導(dǎo)通狀態(tài)的影響。

準(zhǔn)備工具：電路仿真軟件LTspice,NMOS模型電路，NMOS數(shù)據(jù)手冊(cè)等

進(jìn)行試驗(yàn)：步驟1、先搭建一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS開(kāi)關(guān)仿真電路，如圖：

MOS管導(dǎo)通電壓

MOS的開(kāi)啟電壓，如下圖，

MOS管導(dǎo)通電壓

從圖中可以看到MOS管的開(kāi)啟電壓在1v~2.2v之間，所以我們將VGS驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置在2.5v,然后改變電阻R1的阻值，觀察VDS的電壓變化。

步驟3、設(shè)置好參數(shù)后，我們開(kāi)始仿真，仿真結(jié)果如圖下；

MOS管導(dǎo)通電壓

從圖中我們可以看到電阻R1的變化帶來(lái)VDS的壓降變化，0.4v到10v,也就是從接近完全導(dǎo)通到完全截止。

步驟4、接下來(lái)我們將驅(qū)動(dòng)電壓VGS設(shè)置為2.8v,在來(lái)仿真一下，結(jié)果如圖下；

MOS管導(dǎo)通電壓

這次我們可以看到只有兩根線了，并且VDS的壓降最低為0v,也就是說(shuō)管子在VGS=2.8V的時(shí)候，漏極電阻調(diào)到合適的值，管子是可以完全導(dǎo)通的。

步驟5、我們把VGS的值改為3V，再來(lái)仿真看結(jié)果

MOS管導(dǎo)通電壓

這次我們可以看到管子VDS的壓降也就完全到mv級(jí)別了。

從上面這幾個(gè)仿真可以發(fā)現(xiàn)，1、NMOS的漏級(jí)電壓vds由驅(qū)動(dòng)電壓VGS和漏極電阻R1決定；2、VGS越大越有利于管子的導(dǎo)通；3、MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓要大于規(guī)格書(shū)的最大開(kāi)啟電壓（最小1v)，才能讓管子完全導(dǎo)通。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。