【電路分享】PMOS管構(gòu)建電源延時供電電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-03-09
PMOS管構(gòu)建電源延時供電電路
圖1的延時時間通過C250,C251,R90來調(diào)整，VBUS斷開后利用C250,C251儲存的電壓，來給Q2的柵極提供高電平，使Q2暫時無法導通。隨著C250,C251的電壓逐漸降低，Q2的VGS滿足Q2導通，VCC4V0_D有電壓。D6用于防止C250上的電壓通過其他電路泄掉。
圖2的延時時間通過C252,C253，R83來調(diào)整。VBUS接通時，由于電容C252,C253兩端的電平無法突變，所以上電瞬間Q11的基極電壓等于VBUS，而Q11的發(fā)射極被R106拉低，所以Q11導通，Q3的柵極等于VBUS -Q11的Vce≈4.7V。
從而使Q3無法導通。隨著C252,C253逐漸充電，Q11基極電壓會被逐漸拉低。當充電至Q11無法導通時，Q3.G被R106拉低，從而使Q3導通。D5用于VBUS下電時快速泄掉C252,C253的殘壓，如果不快速泄掉，會影響第二次的USB識別。
另外Q2,Q3需要用VTH較大的管子，選用的是AO3407A。之前用的是AO3415A，VTH較小，導致延時時間很小。
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