【MOSFET應(yīng)用】RC熱阻模型及熱仿真實(shí)例-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-04-14
RC熱阻模型的建立
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流就等同于熱領(lǐng)域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
具體的等效對應(yīng)關(guān)系如下表：
根據(jù)這樣的等效關(guān)系，我們就可以將元件的熱阻抗Zth以電子的R和C來呈現(xiàn)出來，并通過電路仿真的方法求得元件的溫升值。
這種模型的等效也是各大MOSFET供應(yīng)商認(rèn)可的較快速的評估方法。
基于LTspice的熱仿真實(shí)例
下面的實(shí)例是一個(gè)MOSFET的高邊開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其中右側(cè)的C1，C2，C3，C4，R4，R5，R6和R7組成的是元件的熱阻模型，其中的電容值和電阻值也都是根據(jù)供應(yīng)商給出的模型進(jìn)行設(shè)定的。
將電流源激勵(lì)B1的值設(shè)為作用在元件上的功率值，Vmb1為元件焊接襯底的初始值，當(dāng)運(yùn)行LTspice后，電流源B1后的電壓值即為元件結(jié)合點(diǎn)溫度Tj。
綜上所示，MOSFET的RC熱阻模型為我們元件的設(shè)計(jì)選型提供較為簡單快速的評估方法，將設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)降低。
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