SiC MOSFET電路大功率多管并聯(lián)實(shí)例分享-KIA MOS管

SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密度的應(yīng)用（如太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、不間斷電源 (UPS) 和電動(dòng)汽車(chē)）中優(yōu)化性能。

但是，由于高電壓轉(zhuǎn)換速率 (dv/dt) 和電流轉(zhuǎn)換速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其與硅基電路相比，這些電路對(duì)串?dāng)_、誤導(dǎo)通、寄生諧振和電磁干擾 (EMI) 更為敏感。將功率 MOSFET 并聯(lián)時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須更密切地注意如何最大限度降低這些影響，因?yàn)槠骷g的電流分配不均會(huì)影響性能。

例如，在開(kāi)關(guān)瞬變過(guò)程中，在并聯(lián)中增加一個(gè)器件會(huì)使 di/dt 倍增，從而可能導(dǎo)致更大的電壓過(guò)沖。此外，任何寄生電感都可能產(chǎn)生與反饋機(jī)制耦合的諧振，從而只會(huì)使電流不平衡的情況變得更糟。在這種情況下，PCB 設(shè)計(jì)人員必須特別注意要降低寄生電感。

大功率多管并聯(lián)實(shí)例

SiC MOSFET第三代半導(dǎo)體材料，是一種寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度＞2eV，而SI禁帶寬度僅為1.12eV），因其具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)，適用于高溫、高頻、大功率等應(yīng)用場(chǎng)合。

1、要求驅(qū)動(dòng)器具有更高的門(mén)極峰值輸出電流、更高的dv/dt耐受能力。

2、要求驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲很低且抖動(dòng)量很小，以便有效傳遞高開(kāi)關(guān)頻率下的非常短的脈沖。

3、要求驅(qū)動(dòng)器具有雙路輸出端口。

4、支持高開(kāi)關(guān)頻率（開(kāi)關(guān)頻率至少支持400KHz）

5、支持高安全隔離電壓

6、3-5V的負(fù)壓關(guān)斷，開(kāi)啟要18V-20V。碳化硅N溝道功率MOSFET與硅MOSFET和硅IGBT解決方案相比，提高了性能，同時(shí)降低了高壓應(yīng)用的總成本。SiC MOSFET具有高效率，可實(shí)現(xiàn)更輕、更緊湊的系統(tǒng)，并具有更高散熱能力和更低開(kāi)關(guān)損耗。

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