PMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)電路-單按鍵開(kāi)關(guān)電路-KIA MOS管

本次項(xiàng)目上需要實(shí)現(xiàn)的功能是利用PMOS設(shè)計(jì)一個(gè)開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)一款設(shè)備的開(kāi)關(guān)控制。被控設(shè)備12V供電，供電電流小于3A即可。且為了提高響應(yīng)速度，使流過(guò)該設(shè)備的電流盡可能的大。該設(shè)備內(nèi)阻大約為6ohm。

PMOS產(chǎn)品參數(shù)

PMOS 開(kāi)關(guān) 電路

設(shè)計(jì)電路

設(shè)計(jì)并調(diào)試好的電路如下圖所示，由于供電電壓和驅(qū)動(dòng)電壓均可以使用12V，所以采用了如下較為簡(jiǎn)單的方案。

PMOS 開(kāi)關(guān) 電路

如圖所示，Q9 柵極（G）通過(guò)100k電阻上拉到12V，源級(jí)（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設(shè)備，被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設(shè)備后，釋放被控設(shè)備上的能量。

在默認(rèn)情況下，Q9 柵極被拉到12V，此時(shí)Vgs=0，PMOS處于截止?fàn)顟B(tài)，被控設(shè)備關(guān)斷。

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)PMOS的控制，后邊增加了一級(jí)PNP構(gòu)成的電路，當(dāng)Control_Signal為高電平時(shí)，此時(shí)Q10 NPN三極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得Q9的柵極拉到GND，此時(shí)Q9 VGS之間的電壓為-12V，Q9處于導(dǎo)通狀態(tài)。

反之當(dāng)Control_Signal為低電平時(shí)，Q10 NPN三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)Q9的柵極重新被R45拉高到12V電源上，Q9恢復(fù)截止?fàn)顟B(tài)。

控制邏輯如下

PMOS 開(kāi)關(guān) 電路