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高壓脈沖電源:高壓MOS管/IGBT短路保護(hù)電路-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2023-06-26 

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高壓脈沖電源:高壓MOS管/IGBT短路保護(hù)電路-KIA MOS管


高壓脈沖電源:帶短路保護(hù)鎖定驅(qū)動(dòng)如下圖所示:

圖所標(biāo)1:驅(qū)動(dòng)輸出

圖所標(biāo)2:驅(qū)動(dòng)地

圖所標(biāo)3:短路信號(hào)檢測(cè)入端


此電路為理想狀態(tài)下原理

電路中存在短路時(shí),流過(guò)MOS管電流值大,S極電阻兩端產(chǎn)生壓降后,致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通,此時(shí)驅(qū)動(dòng)電阻有壓降,MOS管進(jìn)入放大區(qū),高電壓不過(guò)MOS管進(jìn)行強(qiáng)行電流放電,芯片不會(huì)局部過(guò)熱,短時(shí)間內(nèi)保護(hù)電路檢測(cè)到短路存在,并關(guān)閉鎖定驅(qū)動(dòng)電壓輸出。


MOS管安全性提高了,因在此過(guò)程中承受恒流功率損耗;

MOS管 短路 保護(hù)

S級(jí)電阻:與MOS的IDM相關(guān)。


三極管作用:

1.不工作在開關(guān)狀態(tài);

2.根據(jù)MOS管瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS管驅(qū)動(dòng)電壓,保證在短路時(shí),IDM不超出安全工作范圍;


此時(shí),由于在 ≤ 1US 時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)被關(guān)斷鎖定,無(wú)功損耗,三極管反映時(shí)間越快越好。


如下圖電路,為電流負(fù)反饋電路衍生而來(lái):

MOS管 短路 保護(hù)



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