24n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),24n50代換,引腳圖 500V-KIA MOS管

24n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-產(chǎn)品介紹

KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠泄β室驍?shù)校正。這款24A、500V低電流、高電壓的MOS管是能夠匹配：2SK2837、25N50兩款型號(hào)，能夠完美代換使用。

24n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-特點(diǎn)

RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V

低柵電荷

高耐用性

快速切換

雪崩測(cè)試100%

提高了dv/dt能力

24n50場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：KIA24N50

工作方式：24A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：24A

脈沖漏極電流：96A

雪崩能量：1150mJ

耗散功率：290W

熱電阻：40℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數(shù)：0.5V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：3500 PF

輸出電容：520 PF

上升時(shí)間：35 ns

封裝形式：TO-3P

24n50場(chǎng)效應(yīng)管封裝

24n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

24n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書(shū) KIA24N50H

查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

KIA半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管廠家（國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場(chǎng)，研發(fā)為先導(dǎo)，了解客戶需求，運(yùn)用創(chuàng)新的集成電路設(shè)計(jì)方案和國(guó)際同步研發(fā)技術(shù)，結(jié)合中國(guó)市場(chǎng)的特點(diǎn)，向市場(chǎng)推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品的穩(wěn)定性，高性價(jià)比，良好的服務(wù)，以及和客戶充分的技術(shù)，市場(chǎng)溝通的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度，在移動(dòng)數(shù)碼，LCE,HID,LED,電動(dòng)車(chē)，開(kāi)關(guān)電源，逆變器，節(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶認(rèn)可。

24n50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)