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20n50場效應(yīng)管參數(shù),20n50參數(shù)代換,引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-09 

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20n50場效應(yīng)管參數(shù),20n50參數(shù)代換,引腳圖-KIA MOS管


KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正。


KIA20N50具有500V高耐壓,20A漏極直流電流,低反向傳輸電容開關(guān)速度快,內(nèi)阻低,耐沖擊特性好等特點;在使用性能參數(shù)方面能夠匹配型號為IRFP460的國外場效應(yīng)管,也能夠代換2SK2837型號的場效應(yīng)管。


廣泛應(yīng)用于DC-AC電源轉(zhuǎn)換器,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PMW馬達驅(qū)動,逆變器(1000W)/開關(guān)電源/電焊機產(chǎn)品中。


20n50場效應(yīng)管參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA20N50

漏極至源極電壓(VDSS):500V

柵源電壓(VGSS):±30V

漏極電流 (連續(xù))(lD):20A

耗散功率(PD):41W/0.33W/℃

工作溫度:+150/℃

擊穿電壓溫度:0.5V/℃

輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升時間:VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω

封裝形式:TO-220F、TO-247、TO-3P


20n50場效應(yīng)管特征

RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的70nC)

快速切換能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


20n50場效應(yīng)管引腳圖

20n50場效應(yīng)管參數(shù)

20n50場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書


20n50場效應(yīng)管參數(shù)

20n50場效應(yīng)管參數(shù)

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。


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