7n80場效應管參數(shù)，7n80場效應管代換-KIA MOS管

7n80場效應管參數(shù)資料

7n80功率MOSFET是使用先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進的技術(shù)經(jīng)過專門定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合高效開關(guān)模式電源、基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正。

7n80場效應管參數(shù)-特性

RDS(on)=1.4Ω@ VGS=10V

柵極電荷低(典型為27nC)

高堅固性

快速切換

100%雪崩測試

改進的DV/DT功能

7n80場效應管參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA7N80

工作方式：7A/800V

漏源電壓：800V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：7.0A

脈沖漏極電流：28A

雪崩能量：650mJ

耗散功率：167W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：800V

溫度系數(shù)：1V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：1300 PF

輸出電容：120 PF

上升時間：100 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F

7n80場效應管-封裝圖

高壓800V7A MOS管KIA7N80H資料

7n80場效應管參數(shù)規(guī)格書

高壓800V7A MOS管KIA7N80H資料

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KIA7N80H

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。

7n80場效應管參數(shù)