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cmos器件受到損害是什么原因,正確的原因我們應(yīng)該要這樣處理

信息來源:本站 日期:2017-09-13 

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從高電壓向低電壓變換的接口

高電壓向低電壓變換的接口要點(diǎn)不是“L”/“H”的邏輯傳輸上的問題,而是在低的電壓下流入接納IC的輸入部分的電流以及因此引起的器件損傷問題。

在接納IC的電源電壓比發(fā)送lC的電源電壓低的場所,如圖13.18所示,經(jīng)過IC②的輸入維護(hù)電路產(chǎn)牛的穩(wěn)定電流IIH會(huì)導(dǎo)致器件劣化,所以不能夠直接中止接口。針對(duì)這個(gè)問題,如圖13. 19所示,采用給信號(hào)線插入串聯(lián)電阻,抑止電流IIH的方法。

以普通的CMOS器件的輸入維護(hù)二極管電流(額定值20mA)為例來計(jì)算串聯(lián)電阻的值。首先需求把握發(fā)送IC的p溝一側(cè)的輸出阻抗。

在圖13.19的場所,設(shè)VOH=2.5V(VCC:2V+VF:0.5V)時(shí)的IOH作為IIH流過接納IC的輸入維護(hù)二極管。假定前級(jí)IC的輸出阻抗為20Ω,那么為了滿足額定電流,需求105Q的電阻。由于理論的2電源間的指令序列(ON,OFF的定時(shí))并非完好分歧,所以必需設(shè)定接納IC的Vcc=OV時(shí)發(fā)送IC流過IOH的最壞條件。因此,為了安全起見,希望電阻值在205Q以上。這樣,假設(shè)能夠把握輸出阻抗,也

容許以在一定程度上制定對(duì)策。

伴隨著電子設(shè)備的高功用化.節(jié)能/低電壓化,多電源是一種意向,電源電壓不同的IC間的接口曾經(jīng)是不可避免的。新的輸入維護(hù)電路在開發(fā)中,如圖13. 20所示,取掉二極管,斷開基于高→低電壓間隙的電流通道,有可能成為流利的接口。

把實(shí)現(xiàn)不同電壓電平的接口叫做電壓變換功用(容忍功用)。附有容忍功用的  IC,能夠中止高→低的電壓變換,也沒有對(duì)漏電流/穩(wěn)定電流的增加和傳輸延遲時(shí)間的滯后作出犧牲。

過去在維護(hù)CMOS器件免受外來浪涌(靜電等過電壓、過電流)損傷的輸入保護(hù)電路中,采用簡單而高效的一對(duì)二極管的方式。為了順應(yīng)電壓變換接口的需求,往常半導(dǎo)體廠家采用新的維護(hù)電路,完成了無二極管的等效結(jié)構(gòu)。

如圖13. 21所示,用晶體管的擊穿特性交流二極管的正向特性,去掉從輸入到VDD線的電流途徑。作為維護(hù)電路,也能夠吸收比VDD線的電壓電平更高的正的外來浪涌。當(dāng)然,這個(gè)擊穿電壓應(yīng)該設(shè)計(jì)得比IC內(nèi)部的初級(jí)輸入柵耐壓低。


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