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場效應管型號參數(shù)字母含義,mos管參數(shù)字母-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-10-18 

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場效應管型號參數(shù)字母含義,mos管參數(shù)字母-KIA MOS管


場效應管mos管參數(shù)字母含義


Cds漏-源電容

Cdu-漏-襯底電容

Cgd-柵-源電容

Cgs-漏-源電容

Ciss-柵短路共源輸入電容

Coss-柵短路共源輸出電容

Crss-柵短路共源反向傳輸電容

D-占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))

di/dt-電流上升率(外電路參數(shù))

dv/dt-電壓上升率(外電路參數(shù))

ID-漏極電流(直流)

IDM-漏極脈沖電流

ID(on)-通態(tài)漏極電流

IDQ-靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)

IDS-漏源電流

IDSM-最大漏源電流

IDSS-柵-源短路時,漏極電流

IDS(sat)-溝道飽和電流(漏源飽和電流)

IG-柵極電流(直流)

IGF-正向柵電流

IGR-反向柵電流

IGDO-源極開路時,截止柵電流

IGSO-漏極開路時,截止柵電流

IGM-柵極脈沖電流

IGP-柵極峰值電流

IF-二極管正向電流

IGSS-漏極短路時截止柵電流

IDSS1-對管第一管漏源飽和電流

IDSS2-對管第二管漏源飽和電流

Iu-襯底電流

Ipr-電流脈沖峰值(外電路參數(shù))

gfs-正向跨導

Gp-功率增益

Gps-共源極中和高頻功率增益

GpG-共柵極中和高頻功率增益

GPD-共漏極中和高頻功率增益

ggd-柵漏電導

gds-漏源電導

K-失調電壓溫度系數(shù)

Ku-傳輸系數(shù)

L-負載電感(外電路參數(shù))

LD-漏極電感

Ls-源極電感

rDS-漏源電阻

rDS(on)-漏源通態(tài)電阻

rDS(of)-漏源斷態(tài)電阻

rGD-柵漏電阻

rGS-柵源電阻

Rg-柵極外接電阻(外電路參數(shù))

RL-負載電阻(外電路參數(shù))

R(th)jc-結殼熱阻

R(th)ja結環(huán)熱阻

PD-漏極耗散功率

PDM-漏極最大允許耗散功率

PIN-輸入功率

POUT-輸出功率

PPK-脈沖功率峰值(外電路參數(shù))

to(on)-開通延遲時間

td(off)-關斷延遲時間

ti-上升時間

ton-開通時間

toff-關斷時間

tf-下降時間

trr-反向恢復時間

Tj-結溫

Tjm-最大允許結溫

Ta-環(huán)境溫度

Tc-管殼溫度

Tstg-貯成溫度

VDS-漏源電壓(直流)

VGS-柵源電壓(直流)

VGSF-正向柵源電壓(直流)

VGSR-反向柵源電壓(直流)

VDD-漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))

VGG-柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))

Vss-源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù))

VGS(th)-開啟電壓或閥電壓

V( BR)DSS-漏源擊穿電壓

V(BR)GSS-漏源短路時柵源擊穿電壓

VDS(on)漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)-漏源飽和電壓

VGD-柵漏電壓(直流)

Vsu-源襯底電壓(直流)

VDu-漏襯底電壓(直流)

VGu-柵襯底電壓(直流)

Zo-驅動源內阻

n-漏極效率(射頻功率管)

Vn-噪聲電壓

alD-漏極電流溫度系數(shù)

ards-漏源電阻溫度系數(shù)

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