nce01p18k參數(shù)及代換,nce01p18k引腳圖,KIA23P10A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-06
VDS =-100V,ID =-18A
RDS(ON) <100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ)
RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V (Typ:95mΩ)
漏源極擊穿電壓（最大）：-100V
連續(xù)漏極電流（最大）：-18A
功率耗散（最大）：70W
柵源極擊穿電壓：20V
漏源導通電阻（典型值）(10V)：85mΩ
封裝：TO252
nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷，廣泛應用電動車報警器、開關等領域。KIA23P10A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，可靠、堅固耐用，封裝形式：TO-252。
nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A特性
RDS（ON）=78mΩ（典型值）@VGS=10V
100%EAS保證
綠色設備可用
超低柵極電荷
出色的Cdv/dt效應下降
先進的高單元密度溝槽技術
工作方式：-23A/-100V
漏源電壓：-100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-23A
脈沖漏極電流：-75A
雪崩電流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：-100V
溫度系數(shù)：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：-1.2V
輸入電容：3029PF
輸出電容：129PF
上升時間：53.6ns
KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產(chǎn)廠家的優(yōu)質(zhì)選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場效應管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。
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