NCE01P30K參數(shù)及代換,NCE01P30K引腳資料PDF-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2023-12-07
電機驅(qū)動在工業(yè)自動化設(shè)備中占據(jù)核心地位,如果電機驅(qū)動發(fā)生故障就很容易導致?lián)p失,選擇優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)管可以讓電機驅(qū)動提升效率,減少損耗。NCE01P30K代換場效應(yīng)管KIA35P10A是一款電機驅(qū)動專用MOS管,采用先進的溝槽MOSFET技術(shù),提供出色的RDS(ON)和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V,封裝形式:TO-252。
VDS =-100V,ID =-30A
RDS(ON) <58mΩ @ VGS=-10V (Typ:44mΩ)
RDS(ON) <65mΩ @ VGS=-4.5V (Typ:48mΩ)
漏源電壓(Vdss):-100V
連續(xù)漏極電流(Id):-30A
功率(Pd):120W
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,15A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
KIA35P10A特性:
RDS(開)=42mΩ(典型值)@VGS=10V
100%EAS保證
綠色設(shè)備可用
超低柵極電荷
出色的Cdv/dt效應(yīng)下降
先進的高單元密度溝槽技術(shù)
NCE01P30K參數(shù)代換KIA35P10A參數(shù)詳情
工作方式:-35A/ -100V
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:-100A
單脈沖雪崩能量:345mJ
雪崩電流:28A
總功耗:104W
操作和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃
漏源擊穿電壓:-100V
柵源漏電流:±100nA
輸入電容:4920pF
輸出電容:223pF
反向轉(zhuǎn)移電容:125pF
KIA35P10A場效應(yīng)管-100V,-35A能夠代換CMD5950、NCE01P30K、DH100P30型號進行使用,KIA35P10A具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電動車報警器、開關(guān)等領(lǐng)域;符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性得到認可。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
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