去耦電路：去耦旁路電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-08
去耦電路指的是在多級放大電路(集成電路芯片內部大多也是由各種多級放大電路組成)的供電電源端對地所加的旁路電容。其容量大可到幾十、上百微法 ,小也要0.1,0. 01微法。
加這個電容有什么作用呢?主要是防止來自直流電源內部的禍合使放大器自激,這也就是“去耦”這個名稱的含意。
去耦電路在電子產品中是應用最多的，幾乎所有的多級放大器、不管是分立器件或集成電路都需要去耦電路。
多個電容組成的去耦旁路電路
在實際應用中，電容不僅僅是理想的電容C，還具有等效串聯(lián)電阻ESR及等效串聯(lián)電感ESL，如下圖所示為實際的電容器的簡化模型：
在高速電路中使用電容需要關注一個重要的特性指標為電容器的自諧振頻率，電容自諧振頻率公式表示為：
自諧振頻率點是區(qū)分電容器是容性還是感性的分界點，低于諧振頻率時電容表現(xiàn)為電容特性，高于諧振頻率是電容表現(xiàn)為電感特性，只有在自諧振頻率點附近電容阻抗較低，因此，實際去耦電容都有一定的工作頻率范圍，只有在其自諧振頻率點附近頻段內，電容才具有很好的去耦作用，使用電容器進行電源去耦時需要特別注意這一點。
電容的特性阻抗可表示為：
可見大電容（1uF）的自諧振點低于小電容(10nF)，相應的，大電容對安裝的PCB電路板上產生的寄生等效串聯(lián)電感ESL的敏感度小于小電容。
所以，小電容應該盡量靠近IC的電源引腳擺放，大電容的擺放位置相對寬松一些，但都應該盡量靠近IC擺放，不能離IC距離太遠，超過其去耦半徑，便會失去去耦作用。正確方法如下圖：
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