mos管飽和區(qū)條件,場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)-KIA MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)

場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)是指場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線族中漏源電壓U(DS)較大，且漏極電流I(D)基本不隨U(DS)增加而變化的部分。這段特性曲線近似水平，故又叫“恒流區(qū)”。它表示場(chǎng)效應(yīng)管預(yù)夾斷后I(D)和U(DS)之間的關(guān)系。

mos管飽和區(qū)條件,場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)

mos管飽和區(qū)條件

MOS管飽和區(qū)工作條件有以下幾點(diǎn)，

閾值電壓：MOS管進(jìn)入飽和區(qū)的條件是柵極電壓高于一定的閾值電壓，這個(gè)閾值電壓是MOS管的一個(gè)重要參數(shù)，決定了MOS管的工作狀態(tài)。

漏極電壓：在飽和區(qū)工作時(shí)，漏極電壓較低，基本保持在一個(gè)較小的范圍內(nèi)。這是因?yàn)樵陲柡蛥^(qū)，MOS管的導(dǎo)通電阻較低，使得漏極電壓較小。

飽和電壓：MOS管的飽和區(qū)與導(dǎo)通區(qū)之間存在一個(gè)臨界電壓，稱為飽和電壓。

恒流區(qū)：當(dāng)Vgs一定，當(dāng)Vds大于Vgs-Vth時(shí)（Vth為開通的閾值電壓），漏極電流Id恒定不變，不隨Vds增大而增大，俗稱為飽和。

場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)的電壓條件：在飽和區(qū)，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極-源極電壓（Vgs）要小于或等于臨界電壓（Vth），且柵極-漏極電壓（Vds）要大于或等于零。這樣的電壓條件可以使得場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定，從而實(shí)現(xiàn)飽和區(qū)的工作。

場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)的電流條件：在飽和區(qū)，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流（Ids）要大于或等于飽和電流（Idsat），同時(shí)柵極-源極電流（Igs）要小于或等于零。這樣的電流條件可以保證場(chǎng)效應(yīng)管在飽和區(qū)工作時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。