10N80E參數(shù),10n80參數(shù)及代換,KIA10N80H參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-20
漏極電流（ID）：10A
漏極和源極電壓（VDSS）：800V
漏極和源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.85Ω
耗散功率（PD）：42W
封裝：TO-220F
KIA10N80H功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。
KIA10N80H場效應(yīng)管漏極電流可達(dá)10A，漏源擊穿電壓高達(dá)800V，在10V的VGS下，RDS（開）僅為0.85Ω，顯示出優(yōu)異的導(dǎo)通特性；低柵極電荷，僅為63nC，有利于減小開關(guān)過程中的功耗損耗；堅(jiān)固性強(qiáng)，可靠性高，能夠適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境；以及具備快速切換能力，使得在高頻率操作時(shí)仍能保持穩(wěn)定可靠的性能；指定的雪崩能量和改進(jìn)的dv/dt能力，保證了在各種工作條件下都能穩(wěn)定可靠地工作；ESD改進(jìn)的能力在靜電干擾下仍能保持正常功能，適用于各種應(yīng)用場景，是電子器件領(lǐng)域中的一款高性能元件。
漏源電壓：800V
柵源電壓：±25V
漏電流連續(xù)：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率：42W
熱電阻：62.5℃/W
溫度系數(shù)：0.8V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2230 PF
輸出電容：135 PF
上升時(shí)間：35 ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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