9n90c場效應管參數,9n90c代換,9n90參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-22
漏源電壓：900V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：280W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：900V
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2780 PF
輸出電容：228 PF
上升時間：130 ns
封裝形式：TO-3P、247、220F
9n90 N溝道增強型功率場效應晶體管是使用Fairchild專有的平面條紋DMOS技術生產的。這項先進的技術經過專門定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適用于高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。
KIA9N90場效應管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的電流承受能力和高達900V的電壓額定值；RDS（開啟）僅為1.12Ω，在VGS=10 V時表現出色；具有低柵極電荷，典型值為70 nC，以及低Crss，典型值為14pF，能夠在電路設計中更加靈活可靠。
KIA9N90場效應管還具有快速切換的特點，能夠在工作中實現高效率的轉換；經過100%的雪崩測試，在極端條件下依然穩(wěn)定可靠；改進的dv/dt能力使其在快速切換時具有更好的性能表現，有助于提高整個電路的響應速度和穩(wěn)定性；符合RoHS標準，環(huán)保無污染，為電子設備提供穩(wěn)定可靠的支持。
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