mos管測量好壞方法,mos管測量好壞圖解?-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-03-22
一般在判斷好壞的時(shí)候先對MOS管放電,放電的目的就是使G極(柵極)和S極(源極)電位相同,放電直接在G極和S極之間用導(dǎo)線短接一下就可以了,也可以串接個(gè)電阻。
放完電后就可以用萬用表去測量了,在MOS管原理圖中可以看出來,在D極(漏極)和S極(源極)之間有一個(gè)看著像二極管的東西,其實(shí)這個(gè)就是反向寄生二極管,這個(gè)二極管是能夠使用萬用表的二極管檔測出來的。
怎么測呢?下面兩張圖是測量結(jié)果,當(dāng)把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上,這個(gè)反向寄生二極管是能夠?qū)ǖ?,所以可以測出來這個(gè)導(dǎo)通壓降,一般在0.5 V左右;如果把紅表筆放在D極,黑表筆放在S極,這個(gè)反向寄生二極管是截止的,所以在萬用表上會看到O L字樣。
到這我們才測量兩個(gè)管腳是正常的,還有一個(gè)G極,這里需要先對G極充下電,用萬用表的二極管檔就可以,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極,這個(gè)充電過程很快,在萬用表上是看不到這個(gè)變化過程,所以一直看到O L字樣,充完電后再去測量一下D極和S極之間,還是截止的嗎?
從下圖可以很清楚的看到,這時(shí)候D極和S極之間的壓降接近于0,換句話說此時(shí)的MOS管導(dǎo)通了,從這里也能感受出來MOS管的導(dǎo)通壓降是很低的。
其實(shí)不光D極和S極之間的壓降很低,S極和D極之間的導(dǎo)通壓降也很低,可以參考下圖中的測量結(jié)果,從這也可以看出來,MOS管導(dǎo)通后,這個(gè)反向寄生二極管消失了,如果此時(shí)再次給G極放電,你會發(fā)現(xiàn)這個(gè)反向寄生二極管又回來了。
這就是正常的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的測量結(jié)果,如果步驟和上文所述的不同,那么很可能這個(gè)管子壞了。
MOS管最常用的測試方法包括電容測試、電阻測試、絕緣測試、耐壓測試和熱阻測試等。此外,還可以通過檢查MOS管的外觀來判斷其質(zhì)量,如果外觀有破損或污漬,則說明MOS管質(zhì)量不佳。
1、電容測試可以用來測試MOS管的質(zhì)量。在電容測試中,可以測量MOS管的電容值,如果電容值低于額定值,則說明MOS管質(zhì)量不佳。此外,還可以測量MOS管的漏電流,如果漏電流過大,則說明MOS管質(zhì)量不佳。
2、電阻測試可以用來測試MOS管的好壞。通常,MOS管的電阻應(yīng)該在正常范圍內(nèi),如果電阻值過低或過高,則表明MOS管有缺陷。
3、MOS管的絕緣測試可以通過測量其絕緣電阻來判斷其好壞。絕緣電阻的值應(yīng)該大于1MΩ,否則就表明MOS管有缺陷。
4、耐壓測試mos管的好壞取決于它的工作電壓、溫度、測試電流和測試時(shí)間。正常情況下,mos管的耐壓應(yīng)該在它的額定電壓的1.5倍以上,溫度應(yīng)該在它的額定溫度的1.5倍以下,測試電流應(yīng)該在它的額定電流的1.5倍以下,測試時(shí)間應(yīng)該在它的額定時(shí)間的1.5倍以下。如果mos管的耐壓、溫度、測試電流和測試時(shí)間都符合要求,那么它的耐壓測試就是正常的。
5、熱阻測試mos管的好壞取決于測試結(jié)果。通常來說,mos管的熱阻值應(yīng)該低于其額定值,否則就表明mos管的質(zhì)量不佳。此外,mos管的熱阻值也可以用來判斷mos管的工作溫度,如果熱阻值超過其額定值,則表明mos管的工作溫度過高,可能會導(dǎo)致mos管的損壞。
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