光耦驅(qū)動(dòng)mos管電路圖,電路原理分享-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-05-13
在電路電氣的隔離設(shè)計(jì)中通常使用的電氣隔離手段是磁隔離和光隔離。磁隔離需要設(shè)計(jì)合適的變壓器,光隔離需要選擇合適的光耦器件。MOS管的隔離驅(qū)動(dòng)是應(yīng)用在大功率的多管橋式變換電路中,當(dāng)功率電路要求和控制電路必須隔離時(shí)也必須采用隔離驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)。
上圖是一個(gè)采用正激隔離變壓器實(shí)現(xiàn)電氣隔離的驅(qū)動(dòng)電路??刂菩酒捎昧薝C3844,其輸出為高電平時(shí),輸出電流經(jīng)過R4、C1給變壓器初級線圈勵(lì)磁。次級線圈為高電平輸出,通過驅(qū)動(dòng)電阻R1來驅(qū)動(dòng)MOS管導(dǎo)通。
當(dāng)UC3844為低電平輸出時(shí),變壓器磁場不能馬上突變,即通過VD2、R4、C1回路來進(jìn)行磁復(fù)位,此時(shí)次級繞組為反向電壓輸出,對柵極電荷進(jìn)行迅速抽離,隨著變壓器磁復(fù)位結(jié)束柵源電壓變?yōu)?V,3844的輸出占空比最大為50%也能保證足夠磁復(fù)位時(shí)間。
C2的作用是,使交流成份不流入線圈;吸收電感兩端的尖峰電壓。增加R3是為了防止次級線圈和C2產(chǎn)生自激振蕩,這和驅(qū)動(dòng)電阻R1的作用是類似的。在驅(qū)動(dòng)電平處理比較好的驅(qū)動(dòng)電路中,R3、C2是可以去掉的,這時(shí)需要調(diào)節(jié)R1使驅(qū)動(dòng)波形不至于產(chǎn)生共振干擾,同時(shí)還要滿足一定的驅(qū)動(dòng)效果,比如合適功率管應(yīng)力指標(biāo)以及合適的功率管發(fā)熱。
采用隔離變壓器驅(qū)動(dòng)電路主要應(yīng)用于單管需要隔離的小功率電路,也會應(yīng)用到雙功率管電路中,一般場景是驅(qū)動(dòng)時(shí)序要求一樣并且功率管之間需要隔離。為了保證磁復(fù)位占空比不能超過50%。
采用隔離變壓器需要避免次級繞組電感和輸出端寄生電容形成諧振,驅(qū)動(dòng)波形需要適當(dāng)?shù)臑V波和限幅保護(hù)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)脈寬較窄時(shí),由于是儲存的能量減少,在關(guān)斷續(xù)流時(shí)輸出感應(yīng)負(fù)電壓較低,導(dǎo)致MOS管柵極的關(guān)斷速度變慢。
在大功率電路橋式多管使用場景里,采用上面隔離驅(qū)動(dòng)變壓器的驅(qū)動(dòng)方案顯然不大合適。但橋式多管電壓變換中驅(qū)動(dòng)也是需要隔離的。除了直接使用MOS管驅(qū)動(dòng)變壓器實(shí)現(xiàn)隔離之外,還可以使用隔離驅(qū)動(dòng)電源加隔離驅(qū)動(dòng)信號來實(shí)現(xiàn)。這種隔離驅(qū)動(dòng)除了要求有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電源,還要求驅(qū)動(dòng)脈沖的隔離。
如下圖是隔離電源電路而圖6利用光耦進(jìn)行驅(qū)動(dòng)脈沖的隔離。圖中的隔離電源是通過脈沖發(fā)生芯片CD4093產(chǎn)生固定占空比的驅(qū)動(dòng)脈沖,輸出給圖騰柱電路后直接給正激變壓器,正激變壓器輸出在整流后通過電容的濾波以及穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓形成穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電壓。
隔離電源可以設(shè)計(jì)成雙電源也可以設(shè)計(jì)成單電源。雙電源就是可以實(shí)現(xiàn)正、負(fù)兩個(gè)極性的驅(qū)動(dòng)輸出。對于MOS管來說負(fù)電源意味著有效快速的進(jìn)行功率管關(guān)斷,并且可以避免驅(qū)動(dòng)干擾所引起的誤開通,所以對于大功率橋式電路中大多采取雙電源。
單電源就是關(guān)閉的時(shí)候驅(qū)動(dòng)輸出是0V低電平,對于非橋式、功率小以及驅(qū)動(dòng)干擾不大的場合也可選擇單電源工作。直接耦合驅(qū)動(dòng)拓?fù)湟话悴捎脝坞娫打?qū)動(dòng)形式。
下圖光耦的左側(cè)是控制電路,驅(qū)動(dòng)信號來自控制芯片。右側(cè)使用隔離的雙電源,同時(shí)增加一級圖騰柱電路來驅(qū)動(dòng)MOS功率管。MOS管的源極是隔離電源的“地”,而柵極地驅(qū)動(dòng)波形將是相對于“地”的正或負(fù)脈沖。
VD2是一個(gè)電壓嵌位二極管用于保護(hù)MOS管柵源之間的電壓過沖。VD1是加速關(guān)斷二極管。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除。