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4706參數(shù),4706場效應管,SOP-8引腳參數(shù)規(guī)格資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-05-15 

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4706參數(shù),4706場效應管,SOP-8引腳參數(shù)規(guī)格資料-KIA MOS管


4706參數(shù),4706場效應管資料

KIA4706A是高單元密度溝槽N溝道MOSFET,為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應用提供了出色的RDSON和柵極電荷。KIA4706A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品的要求。


KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術,性能出色,漏源擊穿電壓60V,漏極電流8A,具有RDS(開)僅為10mΩ(在VGS=10V時的典型值),在應用中表現(xiàn)出超低的電阻,還具有超低的柵極電荷,在高頻應用中表現(xiàn)出色,綠色環(huán)保設備具有更低的能耗和減少對環(huán)境的影響,在Cdv/dt效應下降方面,能夠穩(wěn)定輸出信號,保證電路的穩(wěn)定性。4706A場效應管是一款性能卓越、適用范圍廣泛的元件,能夠滿足不同領域的需求。

4706參數(shù),4706場效應管

4706參數(shù),4706場效應管參數(shù)

漏源電壓:60V

漏極電流:8A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):10mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:32A

雪崩能量單脈沖:72MJ

總功耗:1.5W

總柵極電荷:30nC

輸入電容:3240PF

輸出電容:210PF

開通延遲時間:10.6nS

關斷延遲時間:65.6nS

上升時間:9ns

下降時間:4.8ns


4706參數(shù),4706場效應管規(guī)格書

4706參數(shù),4706場效應管

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KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè),竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。


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