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6706MOS管,6706場效應(yīng)管,參數(shù)引腳圖規(guī)格書-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-05-16 

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6706MOS管,6706場效應(yīng)管資料

KIA6706A是一款高單元密度的溝槽式N溝MOSFET,具有出色的RDSON性能,適用于大多數(shù)同步buck變換器應(yīng)用的門極電荷。6706場效應(yīng)管符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求,是一款環(huán)保的元器件選擇。


KIA6706A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流18A,額定RDSON為7.5mΩ(在VGS=10V時),表現(xiàn)穩(wěn)定可靠,具有超低的門電荷,在工作時能夠更加高效,還具有Cdv/dt效應(yīng)下降的特點,有助于減少電路中的不穩(wěn)定因素,提升整體性能,KIA6706A是一款具有先進技術(shù)和優(yōu)秀性能的MOSFET器件,適用于各種應(yīng)用場景。

6706MOS管,6706場效應(yīng)管

6706MOS管,6706場效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:60V

柵源電壓:±20A

漏電流連續(xù):18A

脈沖漏極電流:75A

雪崩電流:40A

雪崩能量:80mJ

耗散功率:2.7W

熱電阻:45℃/V

漏源擊穿電壓:60V

柵極閾值電壓:1.2V

輸入電容:3307PF

輸出電容:201PF

上升時間:41.2ns

封裝形式:SOP-8


6706MOS管,6706場效應(yīng)管規(guī)格書


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