4953場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),4953參數(shù)引腳圖,PmosKIA4953-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-05-20
KIA4953雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本,針對(duì)需要大范圍給定驅(qū)動(dòng)電壓的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。額定值(4.5 V–20 V)。KIA4953場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式:SOP-8。
KIA4953場(chǎng)效應(yīng)管具有出色性能,漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性;當(dāng)Vgs為-10V時(shí),其RDS(on)為54mΩ,而當(dāng)Vgs為-4.5V時(shí),其RDS(on)為84mΩ,顯示出在不同工作條件下的電阻特性。
4953場(chǎng)效應(yīng)管具有低壓充放電的特點(diǎn),典型值為6Nc,在電路中實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度,還具有高功率和電流的能力,能夠滿足對(duì)高性能的需求,適合在各種要求嚴(yán)格的場(chǎng)合使用,以及快速切換速度,能夠有效提高電路的響應(yīng)速度和效率,為電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供了可靠的保障。
漏源電壓:-30V
漏極電流:-5.3A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):54mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:-20A
總功耗:2W
總柵極電荷:6.0nC
輸入電容:525PF
輸出電容:130PF
開通延遲時(shí)間:7nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:14nS
上升時(shí)間:13ns
下降時(shí)間:9ns
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