mos管電容計(jì)算公式,mos管電容計(jì)算詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-05-23
1、直流電容的計(jì)算:MOS電容的容量可以通過(guò)使用兩個(gè)公式來(lái)計(jì)算,即C=εoA/d,其中C為電容值,εo為真空介電常數(shù),A為極板的面積,d為極板之間的距離。
2、交流電容的計(jì)算:MOS電容的交流電容可以使用另外一個(gè)公式來(lái)計(jì)算,即Xc=1/(2πfC),其中Xc是電容的因數(shù),f為頻率,C為電容值。
1.總寄生電容計(jì)算
2.Cox計(jì)算
例如:柵電容Cgg=Cox*W*L,W和L我們可以直接從器件參數(shù)得到,接下來(lái)我們需要知道MOS管的Cox具體值
(1)介電常數(shù):
它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù),符號(hào)為ε,單位為F/m(法/米)
(2)相對(duì)介電常數(shù):
某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值,稱(chēng)為該電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù),符號(hào)為εr,即εr=ε/ε0,εr是無(wú)量綱的純數(shù),其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m,SIO2的相對(duì)介電常數(shù)為εr=3.9,所以SIO2的介電常數(shù)ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
(3)Cox計(jì)算
Cox是介質(zhì)的介電常數(shù)ε與tox的比值,tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到,以HHG90工藝為例:
在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m,PCH5的toxp=1.14E-08m,SIO2的介電常數(shù)ε=3.9×8.854E-12F/m,
Coxn=ε/toxn=3fF/um2;
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
3.CGB、CGS和CGD電容
在飽和區(qū),電路中的最高電容是 CGS。晶體管柵極的輸入電容等于CGG≈CGS,與柵漏電容 CGD 相比,CGS 比CGD大了一個(gè)2/3(WLCox)。在截止區(qū)時(shí),CGB=WLCox,在飽和、線性區(qū)為0。
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