肖特基接觸和歐姆接觸的特點(diǎn)、區(qū)別-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-08-27
歐姆接觸(Ohmic contact)和肖特基接觸(Schottky contact)是半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的兩種金屬與半導(dǎo)體接觸類型。
歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體形成的接觸,其接觸電阻很小,接觸電流與電壓呈線性關(guān)系。在歐姆接觸中,金屬與半導(dǎo)體之間沒(méi)有形成明顯的勢(shì)壘,電子可以自由地通過(guò)金屬和半導(dǎo)體之間的接觸面,形成良好的電流通路。歐姆接觸通常用于需要低接觸電阻的區(qū)域,如電極、導(dǎo)線等。
肖特基接觸是指金屬與半導(dǎo)體形成的接觸,其接觸電阻比歐姆接觸大,接觸電流與電壓不呈線性關(guān)系。在肖特基接觸中,金屬與半導(dǎo)體之間形成一個(gè)勢(shì)壘,這個(gè)勢(shì)壘可以控制電子的流動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)電流的整流和調(diào)制。肖特基接觸通常用于需要高速開(kāi)關(guān)、低噪聲、高靈敏度等應(yīng)用,如肖特基二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。
需要注意的是,某些情況下,金屬與半導(dǎo)體之間的接觸可能同時(shí)具有歐姆接觸和肖特基接觸的特性,這種接觸被稱為“歐姆-肖特基接觸”(Ohmic-Schottky contact)。
歐姆接觸是半導(dǎo)體設(shè)備上具有線性并且對(duì)稱的電流-電壓特性曲線(I-V curve)的區(qū)域。如果電流-電壓特性曲線不是線性的,這種接觸便叫做肖特基接觸。
歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體的接觸,而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻,使得組件操作時(shí),大部分的電壓降在活動(dòng)區(qū)(Active region)而不在接觸面。
欲形成好的歐姆接觸,有二個(gè)先決條件:
(1)金屬與半導(dǎo)體間有低的勢(shì)壘高度(Barrier Height)使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;
(2)半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N≥10EXP12cm-3)使半導(dǎo)體耗盡區(qū)變窄,電子有更多的機(jī)會(huì)直接穿透(Tunneling),而同時(shí)使Rc 阻值降低。
若半導(dǎo)體不是硅晶,而是其它能量間隙(EnergyCap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs),則較難形成歐姆接觸(無(wú)適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?,必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì),形成 Metal-n+-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。
肖特基接觸是指金屬和半導(dǎo)體材料相接觸的時(shí)候,在界面處半導(dǎo)體的能帶彎曲,形成肖特基勢(shì)壘。勢(shì)壘的存在才導(dǎo)致了大的界面電阻。與之對(duì)應(yīng)的是歐姆接觸,界面處勢(shì)壘非常小或者是沒(méi)有接觸勢(shì)壘。
理論:當(dāng)半導(dǎo)體與金屬接觸的時(shí)候由于半導(dǎo)體的電子逸出功一般比金屬小,電子就從半導(dǎo)體流入了金屬,在半導(dǎo)體的表面層形成一個(gè)帶正電不可移動(dòng)的雜質(zhì)離子組成的空間電荷區(qū)域。電場(chǎng)方向由半導(dǎo)體指向金屬,阻止電子繼續(xù)向金屬中擴(kuò)散。界面處半導(dǎo)體能帶發(fā)生了彎曲,想成一個(gè)高勢(shì)能區(qū),這就是肖特基勢(shì)壘。
肖特基勢(shì)壘的高度是金屬和半導(dǎo)體的逸出功的差值。
肖特基二極管結(jié)構(gòu)
肖特基二極管結(jié)構(gòu)如下圖所示,整體上是由金屬和N半導(dǎo)體組成:
1. 陽(yáng)極:由金屬(金、銀、鋁、鉬等材料)組成,用SiQ2來(lái)消除邊緣區(qū)域電場(chǎng),提高二極管反向耐壓值;
2. 陰極:由N-外延層(低摻雜),N型基片(小通態(tài)電阻,摻雜濃度為N-的100倍),N+陰極層(減小陰極接觸電阻)以及陰極金屬組成;
3. 通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù),在基片和陽(yáng)極金屬之間形成合適的肖特基勢(shì)壘。
從這個(gè)結(jié)構(gòu)中,為什么肖特基勢(shì)壘區(qū)的N半導(dǎo)體的摻雜濃度要低一些,而與陰極金屬接觸的N半導(dǎo)體摻雜濃度要更高呢?
其實(shí)這就是“肖特基勢(shì)壘”和“歐姆接觸”的差別。
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