nmos導通條件電流流向,nmos導通電壓-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-05
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動）。
PMOS的特性，Vsg大于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。
mos管的工作區(qū)域
NMOS的電流流向和導通條件
電流流向：
NMOS的電流流向是從源極（S）到漏極（D）。當正向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從源極流向漏極，即S-D。
導通條件：
NMOS的導通條件是當柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就會導通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是正值或零。
PMOS的電流流向和導通條件
電流流向：
PMOS的電流流向是從漏極（D）到源極（S）。當負向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從漏極流向源極，即D-S。
導通條件：
PMOS的導通條件是當柵極和源極之間的電壓（Vgs）小于或等于閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導通。一旦Vgs小于或等于Vth，PMOS就會導通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是負值或零。
對于NMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在0.2V到0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從源極到漏極（S到D）。
對于PMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從漏極到源極（D到S）。
說明：閾值電壓影響因素：襯底摻雜濃度，金屬半導體功函數(shù)，柵氧化層電容，關于襯底偏置效應等。
NMOS和PMOS兩者的襯底濃度不為相同，然而，襯底濃度越大，對應MOS管的閾值電壓也越大，所以一般PMOS的閾值電壓都要比NMOS要更大一些。
NMOS管的導通特性
NMOS是柵極高電平|VGS| > Vt(G電位比S電位高)導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。|VGS| > Vt(G電位比S電位低)導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
