mos管怎么驅(qū)動(dòng),mos管驅(qū)動(dòng)電路分析-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-10-18
MOS管的驅(qū)動(dòng)原理在于其柵極、源極和漏極之間的電學(xué)特性。對于NMOS,當(dāng)控制信號(Ctrl In)輸出低電平時(shí),NMOS不導(dǎo)通;當(dāng)輸出高電平時(shí),NMOS導(dǎo)通。對于PMOS,當(dāng)輸出低電平時(shí)導(dǎo)通,輸出高電平時(shí)關(guān)閉。NMOS的使能電壓以地電平為參照,而PMOS以電源電壓為參照。
驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
NMOS驅(qū)動(dòng)電路:
當(dāng)Ctrl In輸出低電平時(shí),NMOS不導(dǎo)通,柵極通過下拉電阻R1接地,柵極電壓被拉低。
當(dāng)Ctrl In輸出高電平時(shí),NMOS導(dǎo)通,柵極電壓被拉高,通過上拉電阻R1連接到電源。
PMOS驅(qū)動(dòng)電路:
當(dāng)Ctrl In輸出低電平時(shí),PMOS導(dǎo)通,柵極通過上拉電阻R1連接到電源。
當(dāng)Ctrl In輸出高電平時(shí),PMOS關(guān)閉,柵極電壓被拉低,通過下拉電阻R1接地。
MOS管如何驅(qū)動(dòng)?驅(qū)動(dòng)電路分析
對NMOS來說,當(dāng)Ctrl In輸出低電平,NMOS不導(dǎo)通,當(dāng)輸出高電平時(shí)NMOS就會(huì)導(dǎo)通。
對PMOS來說,當(dāng)輸出低電平時(shí),PMOS導(dǎo)通,當(dāng)輸出高電平時(shí)PMOS則關(guān)閉。
兩者的區(qū)別在于,NMOS的使能電壓是以GND為參照的,PMOS則是以VDD為參照。
R1可以加也可以不加,主要是起到一個(gè)偏置作用。
對于NMOS,當(dāng)輸出高電平到低電平時(shí),下拉R1到GND,柵極能夠更快被拉低,固定到GND,進(jìn)行可靠的關(guān)閉。
同理對于PMOS,當(dāng)輸出低電平到高電平時(shí),上拉R1到VDD,柵極能夠更快被拉高,隨后固定在VDD,最后關(guān)閉。
理解了最基本的驅(qū)動(dòng)電路,我們可以來將這個(gè)電路升級一下。
MOS管的柵源極之間可以充當(dāng)電容器,在MOS管處于穩(wěn)態(tài)的情況下,當(dāng)電容器充電時(shí),電流流經(jīng)在一開始會(huì)比較多,隨后越來越少,當(dāng)電容器充滿電后,就沒有電流流經(jīng)了。
但是如果MOS管是處于被動(dòng)打開的情況下,電流給柵源極充電的這一小段時(shí)間內(nèi),柵極內(nèi)會(huì)有大量的電流流動(dòng)。為確保這個(gè)過程,就需要再加一個(gè)電阻了,這個(gè)電阻越高,MOS管的開啟和關(guān)閉速度就越慢。反之則越快。
還有一種情況,柵極電阻放在下拉電阻的左邊,這就是一個(gè)分壓器電路了。但是如果它們的值比較相近,柵極電壓就會(huì)低于Ctrl in電壓,影響MOS管的開啟,所以放在R1左邊最好。
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