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mos管的傳輸特性,傳輸特性曲線介紹-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-11-06 

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mos管的傳輸特性,傳輸特性曲線介紹-KIA MOS管


mos管的傳輸特性

MOS管(場效應(yīng)晶體管)主要有兩種類型:增強(qiáng)型和耗盡型。增強(qiáng)型MOS管在Ugs電壓為零時,ids=0,即管子完全截止,沒有漏電流;而耗盡型MOS管在Ugs電壓為零時,ids≠0,即管子不完全截止,有漏電流。


增強(qiáng)型和耗盡型MOS管的特性差異

增強(qiáng)型MOS管在Ugs電壓為零時,ids=0,即管子完全截止,沒有漏電流。這種類型的MOS管在關(guān)閉狀態(tài)下能夠完全阻斷電流,適用于需要完全關(guān)閉的電路中。相比之下,耗盡型MOS管在Ugs電壓為零時,ids≠0,即管子不完全截止,有漏電流。這種類型的MOS管在關(guān)閉狀態(tài)下仍有微小的電流流動,適用于需要持續(xù)微小電流的電路中。


MOS管的開啟電壓、直流輸入電阻和漏源擊穿電壓等特性

開啟電壓(VT):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓。標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管的開啟電壓約為3~6V,通過工藝改進(jìn)可以使VT值降到2~3V。


直流輸入電阻(RGS):在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比。MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。


漏源擊穿電壓(BVDS):在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS。這個參數(shù)決定了MOS管能夠承受的最大漏源電壓,超過此電壓可能會導(dǎo)致器件損壞。


增強(qiáng)型NMOS管輸入輸出特性曲線

輸出特性曲線

mos管,傳輸特性

開啟電壓 -> Ugs(th)

預(yù)夾斷軌跡 -> Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)


1、夾斷區(qū): Ugs < Ugs(th),此時ld = 0

2、可變電阻區(qū): Ugs>=Ugs(th),Uds <(Ugs - Ugs(th)),此時ld隨Uds的增大而增大

3、恒流區(qū): Ugs>=Ugs(th),Uds >= (Ugs - Ugs(th)),此時ld大小僅僅取決于Ugs


輸入特性曲線

mos管,傳輸特性

Ugs < Ugs(th)時,ld = 0

Ugs > Ugs(th)時,Uds為一常量時,Ugs越大,ld越大


增強(qiáng)型NMOS管應(yīng)用說明

實(shí)際應(yīng)用時,NMOS管常作低端驅(qū)動(下管)與開關(guān)使用,此時,MOS管工作在夾斷區(qū)與可變電阻區(qū)。

夾斷區(qū), ld=0,此時,功率P=ld * Uds=0

可變電阻區(qū),Uds相對很小,功率P=ld*Uds相對也很小

mos管,傳輸特性

增強(qiáng)型PMOS管輸入輸出特性曲線

輸出特性曲線

mos管,傳輸特性

開啟電壓: Ugs(th),為負(fù)壓

預(yù)夾斷軌跡: Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)


1、夾斷區(qū): lUgs| < lUgs(th)|,此時 ld = 0

2、可變電阻區(qū):|Ugs >= |Ugs(th)|,|Udsl < (Ugs - Ugs(th),此時ld隨Uds的增大而增大

3、恒流區(qū): |Ugs| >= lUgs(th),|Udsl > = (Ugs - Ugs(th)),此時ld大小僅僅取決于Ugs


輸入特性曲線

mos管,傳輸特性

lUgsl < |Ugs(th)|時,ld = 0

lUgsl > |Ugs(th)|時,Uds為一常量時,|Ugs|越大,ld越大


增強(qiáng)型PMOS管應(yīng)用說明

實(shí)際應(yīng)用時,PMOS管常作高端驅(qū)動與開關(guān)使用,此時,PMOS管工作在夾斷區(qū)與可變電阻區(qū)。

夾斷區(qū),ld=0,此時,功率P=ld * Uds = 0

可變電阻區(qū),Uds相對很小,功率P=ld*Uds相對也很小。

mos管,傳輸特性


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