單節(jié)鋰電池保護,電池充放電,保護板電路圖-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-12-26
1.接地側,源極背靠背
背靠背連接,都是為了避免體二極管流過不必要的電流,如圖所示,兩個N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并放置在GND側,這種結構很少用于PCM,但有時用于通信系統(tǒng)的負載開關和熱插拔電路。
功率MOSFET的源極背靠背連接
2.高壓側,漏極背靠背
如圖電源端(高壓側)的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案,其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET,Q2是用于電池充電的功率MOSFET。 兩個N溝道功率MOSFET放置在正端,因此需要兩個充電泵來啟用浮動驅動。
高側功率MOSFET,漏極背靠背連接
如圖所示,放置在電源端(高壓側)的兩個充電和放電N溝道功率MOSFET源極背靠背連接。 兩個N溝道功率MOSFET使用公共源極,因此需要充電泵來驅動。 這種結構也用于負載開關。
高端功率MOSFET,源極背靠背連接
3.大電流并聯(lián)多個MOSFET
為了提高電子系統(tǒng)的使用時間和待機時間,電池的容量正在增加,例如3000mAh到5000mAh甚至更大。 為了縮短充電時間和提高充電速度,通常采用快速充電,即通過更大的充電電流對電池充電,例如4A、5A、6A,甚至大到8A。 這樣一來PCM內部功率MOSFET的功耗非常高,溫度也非常高。 為了降低溫度并確保功率MOSFET的可靠運行,可以并聯(lián)使用兩個或多個MOSFET,如圖所示。
大電流充放電并聯(lián)多個MOSFET
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