mos管反相器詳解,mos管反相器工作原理-KIA MOS管

MOS管反相器

MOS管反相器是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)改變?cè)礃O和漏極之間的導(dǎo)電狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的反相功能。

MOS管反相器工作原理

MOS管反相器主要由N溝道增強(qiáng)型MOS管構(gòu)成。當(dāng)柵極電壓為高電平時(shí)，MOS管截止，源極和漏極之間不導(dǎo)電；當(dāng)柵極電壓為低電平時(shí)，MOS管導(dǎo)通，源極和漏極之間導(dǎo)電。這種開(kāi)關(guān)特性使得MOS管可以用作反相器，將輸入信號(hào)的反相信號(hào)輸出。

NMOS管的結(jié)構(gòu)示意圖和表示符號(hào)如圖所示，在P型襯底上制作兩個(gè)摻雜N型區(qū)，形成MOS管的源極S和漏極D，中間電極稱(chēng)為柵極G，柵極和襯底之間通過(guò)SiO2絕緣層隔開(kāi)。

mos管反相器,原理

下圖為NMOS輸出特性曲線，采用共源極接法，漏極特性曲線可分為三個(gè)工作區(qū)，截止區(qū)，可變電阻區(qū)，飽和區(qū)；

mos管反相器,原理

當(dāng)VgsVgs(th)時(shí)，曲線以上可分為兩部分，虛線以左為可變電阻區(qū)，當(dāng)Vgs一定時(shí)，id與Vds之比近似為一個(gè)常數(shù)；虛線以右為飽和區(qū)，此時(shí)漏極電流id的大小基本只與Vgs的大小有關(guān)。

MOS管搭建反相器

下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖，由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS拼接而成；

當(dāng)v=1時(shí)，T1截止，T2導(dǎo)通，vo=0;

當(dāng)v=0時(shí)，T1導(dǎo)通，T2截止，vo=1;

mos管反相器,原理

在電路設(shè)計(jì)中，CMOS反相器Q由一個(gè)P溝道MOS管和一個(gè)N溝道MOS管組成。當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，P溝道MOS管截止，N溝道MOS管導(dǎo)通，輸出低電平；當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，P溝道MOS管導(dǎo)通，N溝道MOS管截止，輸出高電平。這樣，輸入信號(hào)的高電平和低電平分別對(duì)應(yīng)輸出信號(hào)的低電平和高電平，實(shí)現(xiàn)了信號(hào)的反相。

聯(lián)系方式：鄒先生

座機(jī)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場(chǎng)2棟1902

搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)

關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管技術(shù)支持

免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。