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大功率場效應(yīng)管參數(shù)-常用大功率場效應(yīng)管參數(shù)大全-KIA MOS管廠家

信息來源:本站 日期:2017-12-20 

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大功率場效應(yīng)管參數(shù)

一般來說在設(shè)計中需要考慮的問題包括1.運放供電電壓大小和方式選擇;2.運放封裝選擇;3.運放反饋方式,即是VFA(電壓反饋運放)還是CFA(電流反饋運放);4.運放帶寬;5.偏置電壓和偏置t電流選擇;6溫漂;7.壓擺率;8.運放輸入阻抗選擇;9.運放輸出驅(qū)動能力大小選擇;10.運放靜態(tài)功耗,即ICC電流大小選擇;11.運放噪聲選擇;12.運放驅(qū)動負(fù)載穩(wěn)定時間等等。


偏置電壓和輸入偏置電流

在精密電路設(shè)計中,偏置電壓是一個關(guān)鍵因素。對于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù),諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等,也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。

低偏置電壓的指標(biāo)在高增益電路設(shè)計中很重要,因為偏置電壓經(jīng)過放大可能引起大電壓輸出,并會占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應(yīng)和張力測量電路便是利用精密放大器的應(yīng)用實例。


低輸入偏置電流有時是必需的。光接收系統(tǒng)中的放大器就必須具有低偏置電壓和低輸入偏置電流。比如光電二極管的暗電流電流為pA量級,所以放大器必須具有更小的輸入偏置電流。CMOS和JFET輸入放大器是目前可用的具有最小輸入偏置電流的運算放大器。


因為我現(xiàn)在用的是光電池做采集的系統(tǒng),所以在使用中重點關(guān)心了偏置電壓和電流。如果還有其他的需要,這時應(yīng)該對其他參數(shù)也需要多考慮了。


1、輸入失調(diào)電壓VIO

輸入失調(diào)電壓定義為集成運放輸出端電壓為零時,兩個輸入端之間所加的補償電壓。


輸入失調(diào)電壓實際上反映了運放內(nèi)部的電路對稱性,對稱性越好,輸入失調(diào)電壓越小。輸入失調(diào)電壓是運放的一個十分重要的指標(biāo),特別是精密運放或是用于直流放大時。

2、輸入失調(diào)電壓的溫漂αVIO

輸入失調(diào)電壓的溫度漂移(又叫溫度系數(shù))定義為在給定的溫度范圍內(nèi),輸入失調(diào)電壓的變化與溫度變化的比值。


這個參數(shù)實際是輸入失調(diào)電壓的補充,便于計算在給定的工作范圍內(nèi),放大電路由于溫度變化造成的漂移大小。一般運放的輸入失調(diào)電壓溫漂在±10~20μV/℃之間,精密運放的輸入失調(diào)電壓溫漂小于±1μV/℃。


3、輸入偏置電流IB

在使用運放中可能還會遇到一個輸入偏置電流IB,輸入偏置電流是指第一級放大器輸入晶體管的基極直流電流。這個電流保證放大器工作在線性范圍,為放大器提供直流工作點。


輸入偏置電流定義為當(dāng)運放的輸出直流電壓為零時,其兩輸入端的偏置電流平均值。


輸入偏置電流對進(jìn)行高阻信號放大、積分電路等對輸入阻抗有要求的地方有較大的影響。輸入偏置電流與制造工藝有一定關(guān)系,其中雙極型工藝(即上述的標(biāo)準(zhǔn)硅工藝)的輸入偏置電流在±10nA~1μA之間;采用場效應(yīng)管做輸入級的,輸入偏置電流一般低于1nA。


對于雙極性運放,該值離散性很大,但幾乎不受溫度影響;而對于MOS型運放,該值是柵極漏電流,值很小,但受溫度影響較大。


4、輸入失調(diào)電流

輸入失調(diào)電流 offset current,是指兩個差分輸入端偏置電流的誤差。


輸入失調(diào)電流定義為當(dāng)運放的輸出直流電壓為零時,其兩輸入端偏置電流的差值。


輸入失調(diào)電流同樣反映了運放內(nèi)部的電路對稱性,對稱性越好,輸入失調(diào)電流越小。輸入失調(diào)電流是運放的一個十分重要的指標(biāo),特別是精密運放或是用于直流放大時。輸入失調(diào)電流大約是輸入偏置電流的百分之一到十分之一。輸入失調(diào)電流對于小信號精密放大或是直流放大有重要影響,特別是運放外部采用較大的電阻(例如10k或更大時),輸入失調(diào)電流對精度的影響可能超過輸入失調(diào)電壓對精度的影響。輸入失調(diào)電流越小,直流放大時中間零點偏移越小,越容易處理。所以對于精密運放是一個極為重要的指標(biāo)。


5、輸入阻抗

(1)差模輸入阻抗


差模輸入阻抗定義為,運放工作在線性區(qū)時,兩輸入端的電壓變化量與對應(yīng)的輸入端電流變化量的比值。差模輸入阻抗包括輸入電阻和輸入電容,在低頻時僅指輸入電阻。


(2)共模輸入阻抗


共模輸入阻抗定義為,運放工作在輸入信號時(即運放兩輸入端輸入同一個信號),共模輸入電壓的變化量與對應(yīng)的 輸入電流變化量之比。在低頻情況下,它表現(xiàn)為共模電阻。


6、電壓增益

(1)開環(huán)電壓增益

在不具負(fù)反饋情況下(開環(huán)路狀況下),運算放大器的放大倍數(shù)稱為開環(huán)增益,記作AVOL,有的datasheet上寫成:Large Signal Voltage Gain。AVOL的理想值為無限大,一般約為數(shù)千倍至數(shù)萬倍,其表示法有使用dB及V/mV等。


(2)閉環(huán)電壓增益

顧名思義,就是在有反饋的情況下,運算放大器的放大倍數(shù)。


7、輸出電壓擺幅

當(dāng)運放工作于線性區(qū)時,在指定的負(fù)載下,運放在當(dāng)前電源電壓供電時,運放能夠輸出的最大電壓幅度。


8、輸入電壓范圍

(1)差模輸入電壓范圍

最大差模輸入電壓定義為,運放兩輸入端允許加的最大輸入電壓差。

當(dāng)運放兩輸入端允許加的輸入電壓差超過最大差模輸入電壓時,可能造成運放輸入級損壞。


(2)共模輸入電壓范圍

最大共模輸入電壓定義為,當(dāng)運放工作于線性區(qū)時,在運放的共模抑制比特性顯著變壞時的共模輸入電壓。


一般定義為當(dāng)共模抑制比下降6dB 是所對應(yīng)的共模輸入電壓作為最大共模輸入電壓。最大共模輸入電壓限制了輸入信號中的最大共模輸入電壓范圍,在有干擾的情況下,需要在電路設(shè)計中注意這個問題。


9、共模抑制比

共模抑制比定義為當(dāng)運放工作于線性區(qū)時,運放差模增益與共模增益的比值。

共模抑制比是一個極為重要的指標(biāo),它能夠抑制共模干擾信號。由于共模抑制比很大,大多數(shù)運放的共模抑制比一般在數(shù)萬倍或更多,用數(shù)值直接表示不方便比較,所以一般采用分貝方式記錄和比較。一般運放的共模抑制比在80~120dB之間。


10、電源電壓抑制比


電源電壓抑制比定義為當(dāng)運放工作于線性區(qū)時,運放輸入失調(diào)電壓隨電源電壓的變化比值。


電源電壓抑制比反映了電源變化對運放輸出的影響。所以用作直流信號處理或是小信號處理模擬放大時,運放的電源需要作認(rèn)真細(xì)致的處理。當(dāng)然,共模抑制比高的運放,能夠補償一部分電源電壓抑制比,另外在使用雙電源供電時,正負(fù)電源的電源電壓抑制比可能不相同。


11、靜態(tài)功耗

運放在給定電源電壓下的靜態(tài)功率,通常是無負(fù)載狀態(tài)下。


這里就會有個靜態(tài)電流 IQ的概念,靜態(tài)電流其實就是指運放在空載工作時自身消耗的電流。這是運放消耗電流的最小值(排除休眠狀態(tài))


12、擺率

運放轉(zhuǎn)換速率定義為,運放接成閉環(huán)條件下,將一個大信號(含階躍信號)輸入到運放的輸入端,從運放的輸出端測得運放的輸出上升速率。


由于在轉(zhuǎn)換期間,運放的輸入級處于開關(guān)狀態(tài),所以運放的反饋回路不起作 用,也就是轉(zhuǎn)換速率與閉環(huán)增益無關(guān)。轉(zhuǎn)換速率對于大信號處理是一個很重要的指標(biāo),對于一般運放轉(zhuǎn)換速率SR<=10V/μs,高速運放的轉(zhuǎn)換速率 SR>10V/μs。目前的高速運放最高轉(zhuǎn)換速率SR達(dá)到 6000V/μs。這用于大信號處理中運放選型。


13、增益帶寬

(1)增益帶寬積

增益帶寬積,GBP,帶寬與增益的積。


(2)單位增益帶寬

運算放大器放大倍數(shù)為1時的帶寬。


單位增益帶寬和帶寬增益積這兩個概念有些相似,但不同。這里需要說明的是對電壓反饋型運放來說,增益帶寬積是一個常數(shù),而對于電流型運放來說卻不是這樣的,因為對于電流型運放而言,帶寬和增益不是一個線性的關(guān)系。


14、輸出阻抗

輸出阻抗定義為,運放工作在線性區(qū)時,在運放的輸出端加信號電壓,這個電壓變化量與對應(yīng)的電流變化量的比值。在低頻時僅指運放的輸出電阻。這個參數(shù)在開環(huán)的狀態(tài)下測試。


15、等效輸入噪聲電壓

等效輸入噪聲電壓定義為,屏蔽良好、無信號輸入的的運放,在其輸出端產(chǎn)生的任何交流無規(guī)則的干擾電壓。


這個噪聲電壓折算到運放輸入端時,就稱為運放輸入噪聲電壓(有時也用噪聲電流表示)。對于寬帶噪聲,普通運放的輸入噪聲電壓有效值約10~20μV。



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